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公开(公告)号：CN110941109A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911410056.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态，实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构，以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度，具有良好的局域性，从而大大降低器件尺寸，具有较小的损耗；可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器；并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理；可以显著提高加工容差，具有良好的稳定性和可拓展性；可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
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公开(公告)号：CN117192223A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311157092.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子领域，具体涉及一种磁光薄膜介电常数全张量表征方法。本发明基于转移矩阵法和椭圆偏振仪改装，依据转移矩阵法的表征原理，通过椭圆偏振仪测量得到正磁场和负磁场下磁光薄膜的差分Mueller矩阵，依据结构模型和色散模型拟合椭偏参数得到介电常数张量对角线元，通过转移矩阵法参数反演得到介电张量非对角线元。本发明首次结合转移矩阵法和4×4Mueller矩阵，通过椭圆偏振仪在施加磁场条件下的进行非接触性椭偏光谱测量，可以在不破坏晶圆或进行切样处理的条件下，实现了对晶圆级磁光薄膜无损、快速地介电常数全张量表征，填补了晶圆级磁光薄膜介电常数全张量无损表征的空缺，对磁光薄膜进一步工业应用具有较大意义。
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公开(公告)号：CN110941109B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911410056.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态，实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构，以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度，具有良好的局域性，从而大大降低器件尺寸，具有较小的损耗；可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器；并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理；可以显著提高加工容差，具有良好的稳定性和可拓展性；可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
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公开(公告)号：CN113192844A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110380742.1
申请日：2021-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/428 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于薄膜器件制造领域，具体涉及一种基于CO2激光退火工艺的氧化物薄膜晶化方法。本发明通过先将非晶氧化物薄膜材料结构化为多层材料，当激光入射到具有不同的吸收率和不同的热导率的薄膜层时，会产生一定的温度分布，利用CO2激光在非晶氧化物薄膜中吸收率低，而在SiO2薄膜中吸收率高的特点，使非晶氧化物薄膜材料被SiO2均匀加热，以实现对非晶氧化物薄膜的可控、均匀退火。当芯片中的非晶氧化物薄膜晶化时，远离热处理区域的芯片其余部分仍然保持在较低温度，因此可以实现氧化物薄膜材料晶化过程与现有CMOS的工艺兼容，使具有优异光电性能的多晶氧化物薄膜广泛应用于半导体光电集成芯片成为了可能。
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