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公开(公告)号：CN113192844A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110380742.1
申请日：2021-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/428 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于薄膜器件制造领域，具体涉及一种基于CO2激光退火工艺的氧化物薄膜晶化方法。本发明通过先将非晶氧化物薄膜材料结构化为多层材料，当激光入射到具有不同的吸收率和不同的热导率的薄膜层时，会产生一定的温度分布，利用CO2激光在非晶氧化物薄膜中吸收率低，而在SiO2薄膜中吸收率高的特点，使非晶氧化物薄膜材料被SiO2均匀加热，以实现对非晶氧化物薄膜的可控、均匀退火。当芯片中的非晶氧化物薄膜晶化时，远离热处理区域的芯片其余部分仍然保持在较低温度，因此可以实现氧化物薄膜材料晶化过程与现有CMOS的工艺兼容，使具有优异光电性能的多晶氧化物薄膜广泛应用于半导体光电集成芯片成为了可能。
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