公开(公告)号：CN107678190A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710933019.5

申请日：2017-10-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  朱银龙 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  张燕 ,  王闯堂

IPC: G02F1/09

Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。

公开(公告)号：CN118447993A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410645444.4

申请日：2024-05-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王笛 ,  张焱磊 ,  梁潇 ,  田玉敏 ,  李少峰 ,  钟昊迪 ,  王泉 ,  万波 ,  罗雪梅 ,  王义峰

IPC: G16H15/00 ,  G16H30/00 ,  G16H30/20

Abstract: 本发明提出了一种基于状态信息分离知识图谱增强的胸部X光影像报告生成方法，实现步骤为：获取训练和测试样本集；构建基于状态信息分离知识图谱增强的胸部X光影像报告生成网络模型并对其进行迭代训练；获取胸部X光影像报告生成结果。本发明在对胸部X光影像报告生成网络模型进行训练和胸部X光影像报告生成结果的过程中，分离子图生成模块通过三元组构建异常子图和正常子图，利用两个状态信息分离的子图分别学习异常信息和正常信息内部的关系，避免了现有技术因不同状态信息混杂导致的相互干扰，减小了模型需要学习知识与生成的报告之间的差异，从而提高了生成报告的准确性。

公开(公告)号：CN117649628A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311681462.X

申请日：2023-12-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王笛 ,  张焱磊 ,  梁潇 ,  罗楠 ,  万波 ,  罗雪梅 ,  王义峰

IPC: G06V20/40 ,  G06V20/70 ,  G06F18/25 ,  G06F18/22 ,  G06F16/9032 ,  G06N3/0495 ,  G06N3/0499

Abstract: 本发明公开了基于提示增强和稀疏注意力的视频问答方法，包括以下步骤；步骤1：使用预训练CLIP模型进行特征提取和提示构建；步骤2：输入步骤1提取的特征，构建概率稀疏自注意力PSSA提取视频关键特征；步骤3：通过步骤2提取的视频关键特征，融合视频特征与文本提示，通过融合特征与候选答案特征的相似度判断答案。本发明利用预训练的CLIP模型的强大的视觉文本泛化能力，以解决视频文本预训练的成本问题。通过充分利用CLIP对比学习的特性，考虑概率稀疏自注意力和视觉语言交叉注意力，以有效地消除视频特征中的冗余信息。

公开(公告)号：CN107678190B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201710933019.5

申请日：2017-10-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  朱银龙 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  张燕 ,  王闯堂

IPC: G02F1/09

Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。

公开(公告)号：CN106756787A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611041955.7

申请日：2016-11-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  李萌 ,  张燕 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/00

CPC classification number: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/0036

Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。

公开(公告)号：CN106756787B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201611041955.7

申请日：2016-11-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  李萌 ,  张燕 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。