公开(公告)号：CN105714379A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610107438.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  张燕 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC: C30B29/28 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/28 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法。本发明通过改变稀土掺杂钇铁石榴石薄膜生长过程中的激光能量密度1.8J/cm2至4.0J/cm2、薄膜沉积温度400℃至850℃以及薄膜沉积气压1mTorr至20mTorr。将在硅基底上生长钇铁石榴石薄膜中的稀土掺杂浓度由原来的33％提高到了50％，材料在光通信1550nm波长的法拉第旋光常数由2800度/厘米提升为6000度/厘米,极大的增强了材料的磁光性能。

公开(公告)号：CN105714379B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201610107438.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  张燕 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC: C30B29/28 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域,具体涉及种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法。本发明通过改变稀土掺杂钇铁石榴石薄膜生长过程中的激光能量密度1.8J/cm至4.0J/cm、薄膜沉积温度400℃至850℃以及薄膜沉积气压1mTorr至20mTorr。将在硅基底上生长钇铁石榴石薄膜中的稀土掺杂浓度由原来的33%提高到了50%,材料在光通信1550nm波长的法拉第旋光常数由2800度/厘米提升为6000度/厘米,极大的增强了材料的磁光性能。

公开(公告)号：CN107678190A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710933019.5

申请日：2017-10-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  朱银龙 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  张燕 ,  王闯堂

IPC: G02F1/09

Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。

公开(公告)号：CN106756787B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201611041955.7

申请日：2016-11-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  李萌 ,  张燕 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。

公开(公告)号：CN107678190B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201710933019.5

申请日：2017-10-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  朱银龙 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  张燕 ,  王闯堂

IPC: G02F1/09

Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。

公开(公告)号：CN106756787A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611041955.7

申请日：2016-11-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  李萌 ,  张燕 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/00

CPC classification number: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/0036

Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。