公开(公告)号：CN107678190A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710933019.5

申请日：2017-10-10

申请人： 电子科技大学

发明人： 毕磊 ,  朱银龙 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  张燕 ,  王闯堂

IPC分类号： G02F1/09

摘要： 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。

公开(公告)号：CN107678190B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201710933019.5

申请日：2017-10-10

申请人： 电子科技大学

发明人： 毕磊 ,  朱银龙 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  张燕 ,  王闯堂

IPC分类号： G02F1/09

摘要： 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。