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公开(公告)号：CN111505766B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010380891.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/095 , G01S17/02 , G01S7/4913 , G01S7/4861 , G01S7/481 , G01S7/48
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫‑曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案，可以显著提高激光雷达等激光主动探测系统的性能，对降低系统的体积、重量、成本，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111505766A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010380891.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/095 , G01S17/02 , G01S7/4913 , G01S7/4861 , G01S7/481 , G01S7/48
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫-曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案，可以显著提高激光雷达等激光主动探测系统的性能，对降低系统的体积、重量、成本，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107870456B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201711232362.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MZI型磁光隔离器。本发明通过两臂波导段的设计:(1)两臂波导采用弯曲折叠的多U型波导结构，有效减小器件长度；(2)通过在两臂波导光传播方向不同的波导段覆盖磁光层即非互易波导的设置，实现在单向磁场下工作。两波导臂非互易波导处于不对称的位置，光波分别从不同方向经过非互易波导，这样就可以在施加单向磁场的情况下工作。本发明最终通过设计器件结构，实现了单向磁化下的MZI光隔离器结构，简化了磁场施加方法，使器件容易制备和封装；通过对波导的弯曲折叠，减小了器件的长度。
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公开(公告)号：CN109440071A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50-60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100-150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50-80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN109597222B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811391158.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种平面硅波导器件中集成TE型光隔离器的制备方法。本发明采用两种方式沉积总厚度在500纳米以上的包层材料，第一层SiO2包层的厚度大于硅波导的高度并且低于450纳米，通过步骤2旋涂的方式，将步骤1制得基片的图案平面化，退火后不产生开裂现象和影响波导的透光性能；还采用CHF3和Ar混合的方式刻蚀SiO2包层，利用CHF3在刻蚀SiO2的过程中由于化学反应产生的有机物附着在硅波导表面，阻止了CHF3对硅波导的刻蚀，对部分暴露的硅波导表面起保护作用。本发明制备的隔离器，与微环结构相比，提高了器件的带宽，并解决了用晶元键合无法制备TE器件的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108107507B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201711375485.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MMI型磁光隔离器及其制备方法。本发明通过设计多模波导:沿多模波导长度方向开槽，且不开设在多模波导区域的物理中心位置，磁光材料分布于槽内，使TE模式产生非互易相移；槽的宽度小于多模波导区域的总宽度，长度使零阶模式和高阶模式的NRPS之差为π。非对称结构使高阶模式分布变得不对称，使得场分布集中在其中一侧，在单模波导激发时可以有效的提高激发效率；这一特殊结构，零阶模式和高阶模式的NRPS值反号，可以有效的减小器件尺寸。本发明有效提高了激发效率，减小了器件的插入损耗；增大了零阶模式和高阶模式的NRPS之差，减小了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN107870456A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711232362.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/095
CPC classification number: G02F1/0955
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MZI型磁光隔离器。本发明通过两臂波导段的设计:(1)两臂波导采用弯曲折叠的多U型波导结构，有效减小器件长度；(2)通过在两臂波导光传播方向不同的波导段覆盖磁光层即非互易波导的设置，实现在单向磁场下工作。两波导臂非互易波导处于不对称的位置，光波分别从不同方向经过非互易波导，这样就可以在施加单向磁场的情况下工作。本发明最终通过设计器件结构，实现了单向磁化下的MZI光隔离器结构，简化了磁场施加方法，使器件容易制备和封装；通过对波导的弯曲折叠，减小了器件的长度。
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公开(公告)号：CN109440071B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50‑60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100‑150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50‑80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN109597222A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811391158.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种平面硅波导器件中集成TE型光隔离器的制备方法。本发明采用两种方式沉积总厚度在500纳米以上的包层材料，第一层SiO2包层的厚度大于硅波导的高度并且低于450纳米，通过步骤2旋涂的方式，将步骤1制得基片的图案平面化，退火后不产生开裂现象和影响波导的透光性能；还采用CHF3和Ar混合的方式刻蚀SiO2包层，利用CHF3在刻蚀SiO2的过程中由于化学反应产生的有机物附着在硅波导表面，阻止了CHF3对硅波导的刻蚀，对部分暴露的硅波导表面起保护作用。本发明制备的隔离器，与微环结构相比，提高了器件的带宽，并解决了用晶元键合无法制备TE器件的难题。
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公开(公告)号：CN108107507A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711375485.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MMI型磁光隔离器及其制备方法。本发明通过设计多模波导:沿多模波导长度方向开槽，且不开设在多模波导区域的物理中心位置，磁光材料分布于槽内，使TE模式产生非互易相移；槽的宽度小于多模波导区域的总宽度，长度使零阶模式和高阶模式的NRPS之差为π。非对称结构使高阶模式分布变得不对称，使得场分布集中在其中一侧，在单模波导激发时可以有效的提高激发效率；这一特殊结构，零阶模式和高阶模式的NRPS值反号，可以有效的减小器件尺寸。本发明有效提高了激发效率，减小了器件的插入损耗；增大了零阶模式和高阶模式的NRPS之差，减小了器件的尺寸。
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