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公开(公告)号：CN109597222B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811391158.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种平面硅波导器件中集成TE型光隔离器的制备方法。本发明采用两种方式沉积总厚度在500纳米以上的包层材料，第一层SiO2包层的厚度大于硅波导的高度并且低于450纳米，通过步骤2旋涂的方式，将步骤1制得基片的图案平面化，退火后不产生开裂现象和影响波导的透光性能；还采用CHF3和Ar混合的方式刻蚀SiO2包层，利用CHF3在刻蚀SiO2的过程中由于化学反应产生的有机物附着在硅波导表面，阻止了CHF3对硅波导的刻蚀，对部分暴露的硅波导表面起保护作用。本发明制备的隔离器，与微环结构相比，提高了器件的带宽，并解决了用晶元键合无法制备TE器件的难题。
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公开(公告)号：CN109164603A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810858214.0
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被HF腐蚀的程度。刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。
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公开(公告)号：CN115993720A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310122932.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明公开一种超表面平面透镜的设计方法，属于纳米光学技术领域，具体为：先构建微元结构单元，以转换效率大于95％为目标，设计最优微元结构单元；基于最优微元结构单元仿真构建超表面平面结构，计算所有微纳结构的偏转角度；在超表面平面结构中截取多个不同圆心角的子扇形结构，基于最优微元结构单元的具体尺寸和偏转角度，仿真构建各子扇形结构对应的子透镜，并进行远场聚焦，选取焦点处电场强度的半高宽数值最大的子透镜作为扇形透镜；将多个扇形透镜沿顺时针或逆时针方向进行共圆心拼接，最终获得超表面平面透镜。本发明在保证聚焦效率和成像效果的基础上，兼顾实用型透镜的宏观尺度需求，降低仿真过程中的计算机资源消耗，更加实用化。
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公开(公告)号：CN115876747A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211621804.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了金纳米空心圆台阵列表面增强拉曼散射基底及检测方法，解决了现有的金纳米阵列表面增强拉曼散射基底缺少空心圆台结构，拉曼光谱检测波长范围较窄，检测分辨率不高的技术问题。本发明包括基片和基片上的若干个金纳米空心圆台，所述金纳米空心圆台的高度为800‑1200nm，顶部外直径为120‑180nm，底部外直径为350‑450nm，厚度为30‑50nm，密度为1‑3个/μm2，并公开了采用该金纳米空心圆台阵列进行有机物的拉曼检测分析。本发明对有机分析具有更高的检测灵敏度，具有检测更大波长范围等优点。
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公开(公告)号：CN109440071A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50-60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100-150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50-80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111582447A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010365392.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多种网络特征的闭环检测方法，在环境变化情况下具有更好的鲁棒性能，采用多种网络特征作为图像特征描述子，利用不同神经网络模型的不同网络输出层特征组合的方式表征图像，使得图像描述子能够携带更丰富更精准的信息，从而提高整个闭环检测算法的性能。相较于其他使用卷积神经网络进行闭环检测的方法，本发明组合了多种神经网络模型的不同层次的特征，综合了不同神经网络模型的低层次和高层次的图像信息，使得图像表示更加丰富，并在特征级联之前进行了特征降维操作，使得方法的实时性能得到了保证。
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公开(公告)号：CN109164603B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810858214.0
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被HF腐蚀的程度。刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。
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公开(公告)号：CN109440071B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50‑60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100‑150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50‑80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN109136858B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810858211.7
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及用脉冲激光沉积法在亲水性刚性基底上高温生长氧化物薄膜如Y3Fe5O12、VO2、Fe3O4等，利用二维材料范德华异质结将其剥离并转移到任意基底上的方法。本发明通过在二维过渡金属上溅射一层具有亲水性的保护层，一方面防止氧化物薄膜沉积时二维过渡金属被氧化；另一方面在与极性溶液接触浸润后，二维过渡金属层的疏水性以及保护层的亲水性将导致二维过渡金属层与保护层极易分离，剥离后二维过渡金属层继续保留在衬底上，实现了将毫米级尺寸的氧化物薄膜的快速、完整地转移到柔性基底上，且因为选择的是无污染的极性溶液如去离子水，不存在刻蚀液损坏氧化物薄膜的情况。
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公开(公告)号：CN110533661A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910832571.4
申请日：2019-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图像特征级联的自适应实时闭环检测方法。本发明在不同环境下具有更好的鲁棒性能，采用特征级联后的图像表征更加丰富，闭环的误判率降低了，实时性能有了一定的提升。相较于其他使用卷积神经网络进行闭环检测的系统，本方法级联了不同层次的特征，综合低层次和高层次的图像信息，使得图像表示更加丰富，并在特征级联之前进行了特征降维操作，使得系统的实时性能得到了保证，此外针对相邻帧误判和相似场景的误判，提出了自适应候选范围匹配算法，该算法除了降低误判还提升了鲁棒性能，通过图像-序列的校准算法来尽可能减小误判率，进一步提高了闭环检测的效果。
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