公开(公告)号：CN109900659B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201910211190.4

申请日：2019-03-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  王会丽

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/552

Abstract: 本发明属于光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器。本发明通过设计介质层进行结构设计，构建了连续金属薄膜层、Ce:YIG薄膜和贵金属周期结构三层结构，从而实现贵金属纳米颗粒局域型表面等离激元和连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的传播型表面等离激元共振耦合，利用了Ce:YIG薄膜材料相比于铁磁金属材料，在可见光及近红外波段有着较低的光学损耗，并具有较高的磁光效应以及较高的稳定性；显著降低了局域等离激元谐振的散射损耗，并实现磁光效应的显着增强。使用磁光氧化物的强磁光效应，器件品质因数达2200RIU‑1。

公开(公告)号：CN109164603A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810858214.0

申请日：2018-07-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  肖敏 ,  王会丽 ,  夏爽 ,  康同同 ,  邓龙江

IPC: G02F1/09 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被HF腐蚀的程度。刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。

公开(公告)号：CN109164603B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201810858214.0

申请日：2018-07-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  肖敏 ,  王会丽 ,  夏爽 ,  康同同 ,  邓龙江

IPC: G02F1/09 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被HF腐蚀的程度。刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。

公开(公告)号：CN109900659A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910211190.4

申请日：2019-03-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  王会丽

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/552

Abstract: 本发明属于光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器。本发明通过设计介质层进行结构设计，构建了连续金属薄膜层、Ce:YIG薄膜和贵金属周期结构三层结构，从而实现贵金属纳米颗粒局域型表面等离激元和连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的传播型表面等离激元共振耦合，利用了Ce:YIG薄膜材料相比于铁磁金属材料，在可见光及近红外波段有着较低的光学损耗，并具有较高的磁光效应以及较高的稳定性；显著降低了局域等离激元谐振的散射损耗，并实现磁光效应的显着增强。使用磁光氧化物的强磁光效应，器件品质因数达2200RIU-1。

公开(公告)号：CN109001918B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201810770901.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  聂立霞 ,  王会丽

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于高迁移率TCO薄膜的低损耗光波导移相器。该器件基于光波导平台制备，从下至上依次为基底、脊型硅波导、二氧化铪层、电光功能材料层和二氧化铪包层以及设置于电光功能材料层表面和硅表面的电极。电光功能材料层为迁移率大于200cm2V‑1s‑1的TCO薄膜。本发明的器件基于光波导平台，将用于光开关调制器迁移率大于200cm2V‑1s‑1的TCO薄膜作为电光功能材料层，实现了电光移相的硅波导移相器与硅制备工艺兼容，调制速率可达100GHz以上，插入损耗3dB以下。

公开(公告)号：CN109001918A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810770901.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 毕磊 ,  聂立霞 ,  王会丽

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于高迁移率TCO薄膜的低损耗光波导移相器。该器件基于光波导平台制备，从下至上依次为基底、脊型硅波导、二氧化铪层、电光功能材料层和二氧化铪包层以及设置于电光功能材料层表面和硅表面的电极。电光功能材料层为迁移率大于200cm2V-1s-1的TCO薄膜。本发明的器件基于光波导平台，将用于光开关调制器迁移率大于200cm2V-1s-1的TCO薄膜作为电光功能材料层，实现了电光移相的硅波导移相器与硅制备工艺兼容，调制速率可达100GHz以上，插入损耗3dB以下。