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公开(公告)号：CN115494589A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211135557.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种氮化硅平台的SMF‑28光纤到芯片超低损端面耦合器。本发明基于端面耦合的模式耦合理论，通过采用具有不同折射率氮氧化硅和SiN两种材料的三层结构，再配合倒锥结构，通过将低折射率的氮氧化硅材料做成扁平层以大幅度扩大模场，使其电场分布与光纤电场分布更接近，提高了波导端面模式与SMF‑28光纤模式的重叠效率，从而有效提高了端面耦合效率，实现芯片与SMF‑28光纤的高效耦合。本发明对于硅基集成光学系统中的光通信、光互连、光传感和激光探测等模块具有重大意义。
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公开(公告)号：CN115561922A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211108748.4
申请日：2022-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115561922B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211108748.4
申请日：2022-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115494589B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211135557.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种氮化硅平台的SMF‑28光纤到芯片超低损端面耦合器。本发明基于端面耦合的模式耦合理论，通过采用具有不同折射率氮氧化硅和SiN两种材料的三层结构，再配合倒锥结构，通过将低折射率的氮氧化硅材料做成扁平层以大幅度扩大模场，使其电场分布与光纤电场分布更接近，提高了波导端面模式与SMF‑28光纤模式的重叠效率，从而有效提高了端面耦合效率，实现芯片与SMF‑28光纤的高效耦合。本发明对于硅基集成光学系统中的光通信、光互连、光传感和激光探测等模块具有重大意义。
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