公开(公告)号：CN103477254A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280016352.5

申请日：2012-03-27

申请人： 英特尔公司

发明人： 那允中 ,  J·赫克 ,  荣海生

IPC分类号： G02B5/18 ,  G02B5/00

CPC分类号： G02B5/1857 ,  G02B5/1842 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/02009

摘要： 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例可包括：在(110)硅晶片衬底上形成光掩模，其中该光掩模包括平行四边形开口的周期性阵列，以及随后在所述（110）硅晶片衬底上进行时控湿法蚀刻以形成蚀刻进（110）硅晶片衬底中的衍射光栅结构。

公开(公告)号：CN103003731A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180032044.7

申请日：2011-06-27

申请人： 英特尔公司

发明人： J·赫克 ,  A·刘 ,  M·J·帕尼西亚

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/4214 ,  G02B6/422

摘要： 本申请中描述了用于提供集成电路管芯组件的反射性靶区域的技术和体系结构。在实施例中，管芯的反射性斜面表面允许将从管芯组件的侧表面方向接收的光信号被反射到光电检测器中。在另一实施例中，管芯的耦合表面中的一个或多个沟槽提供相应的杠杆点，用于将斜面表面的靶区域与光电检测器的检测表面对准。

公开(公告)号：CN115808751A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210973776.6

申请日：2022-08-15

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达勇 ,  J·赫克 ,  S·奈卡恩蒂

IPC分类号： G02B6/42 ,  G02B6/43

摘要： 一种电子设备包括光子集成电路(PIC)，该PIC包括至少一个光学信号源、被设置在PIC上以在基本上与PIC的第一表面平行的方向上引导由至少一个光学信号源发射的光的发射透镜、以及被设置在PIC上并且具有四分之一圆柱形状的弯曲表面的光学元件，该弯曲表面被配置为在基本上与PIC的第一表面正交的方向上引导从发射透镜发射的光。

公开(公告)号：CN105829929B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201380080655.8

申请日：2013-12-03

申请人： 英特尔公司

发明人： D·N·哈奇森 ,  H·荣 ,  J·赫克

IPC分类号： G02B6/12

摘要： 在光子集成电路(PIC)芯片内侧向延伸的光波导的一部分至少部分地摆脱基板而允许释放的波导端相对于基板以及相对于也制作在基板中的相邻的光子器件的物理移位。释放的波导端可以移位以调制光子器件与波导所传播的光模态之间的相互作用。在光子器件是光耦合器的实施例中，采用例如中阶梯光栅或阵列化波导光栅(AWG)，通过耦合器的模态传播可以经由释放的波导端的物理移位来调制。在一个这样的实施例中，通过以抵消光耦合器的温度相关性的方式使释放的波导端相对于耦合器移位，来降低集成光波分复用器(WDM)的热敏感度。

公开(公告)号：CN110297296A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910128732.1

申请日：2019-02-21

申请人： 英特尔公司

发明人： J·赫克 ,  H·弗里希 ,  P·R·韦斯特

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 公开了一种光电子装置。在实施例中，光电子装置可以包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；设置在衬底的第一侧上的光检测器，光检测器用于将光信号转换成电信号；以及被刻蚀到衬底的第二侧中的电介质超颖表面透镜，电介质超颖表面透镜用于采集入射光，并且将入射光通过所述衬底聚焦到光检测器上。

公开(公告)号：CN1327610C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03155024.X

申请日：2003-08-08

申请人： 英特尔公司

发明人： L·-P·王 ,  E·巴-萨德 ,  V·劳 ,  J·赫克 ,  Q·马 ,  Q·特兰 ,  A·塔拉耶夫斯基 ,  E·金斯伯格

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/54

CPC分类号： H03H9/564 ,  H03H3/02 ,  Y10T29/42

摘要： 一种薄膜腔声谐振器滤波器(10)，由多个形成在同一个薄膜(35)上的彼此连接的串联和并联薄膜腔声谐振器(38)组成。每一个薄膜腔声谐振器(38)由一普通的较低导电层形成，此导电层被限定形成每一个薄膜腔声谐振器(38)的底部电极(32)。一普通的顶部导电层可以被限定以形成每一个薄膜腔声谐振器(38)的每个上部电极(36)。还有一普通的压电薄膜层(34)，其上有或者没有形成图案，形成了一个连续的或者不连续的薄膜。

公开(公告)号：CN115808750A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210972537.9

申请日：2022-08-15

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达永 ,  J·赫克 ,  E·莫雷特 ,  T·伊布拉欣 ,  张志超 ,  J·D·埃顿

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本公开的发明名称是：“通过集成柱面透镜和波导结构将光子集成电路与玻璃衬底对准”。一种电子装置包括：光子集成电路（PIC），其包括至少一个波导；发射透镜，其设置在PIC上以在基本平行于PIC的第一表面的方向上发射来自至少一个波导的光；以及光学元件，其设置在PIC上并具有反射表面，该光学元件被配置成在远离PIC的第一表面的方向上引导从发射透镜发射的光。

公开(公告)号：CN113296190A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202011505288.X

申请日：2020-12-18

申请人： 英特尔公司

发明人： J·赫克 ,  贺丽娜 ,  S·朴 ,  O·I·多孙穆 ,  H·弗里希 ,  K·C·马格鲁德 ,  S·M·斯莱文 ,  钱伟 ,  刘安胜 ,  N·高塔姆 ,  M·艾森贝格尔

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/293

摘要： 实施例可以涉及一种波分复用(WDM)收发器，其具有与氮化硅波导层耦合的硅波导层。在一些实施例中，硅波导层可以包括与氮化硅波导层耦合的锥形部分。在一些实施例中，硅波导层可以与具有第一z高度的第一氧化物层耦合，并且氮化硅波导层可以与具有大于第一z高度的第二z高度的第二氧化物层耦合。可以描述或主张其他实施例。

公开(公告)号：CN109564363A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046699.7

申请日：2017-07-28

申请人： 英特尔公司

发明人： W·金 ,  J·赫克 ,  H·荣 ,  J·B·德里斯科尔 ,  K·N·阮

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/00 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02F1/0955 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/125 ,  G02B6/126 ,  G02B6/30 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/092

摘要： 此处公开了与光学iso调制器相关联的装置、方法以及存储介质。在实施例中，一种装置可以包括形成在诸如隔离层和处理层的一个或多个层上的光波导。调制器驱动器可以耦合到一个或多个层的第一侧。磁光(MO)管芯可以耦合到一个或多个层的与第一侧相对的第二侧。可以公开和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN103376185B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310268050.3

申请日：2005-03-18

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  Y·L·邹 ,  J·赫克

IPC分类号： G01L21/12

CPC分类号： G01L11/002 ,  G01L21/12 ,  G01M3/186 ,  G01M3/3272 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 可使用半导体集成电路工艺形成微制造真空传感器。所述传感器可与微制造元件一并形成在外壳内。随后就可使用该传感器测量外壳内的压力。