公开(公告)号：CN111747729B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202010217663.4

申请日：2020-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  大庭悠辅

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。

公开(公告)号：CN113453426A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110314607.7

申请日：2021-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大庭悠辅 ,  吉田健一 ,  大塚隆史 ,  奥山祐一郎 ,  花井智也 ,  深江优

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/18 ,  H01G4/40 ,  H01G4/002 ,  H01G4/06

Abstract: 本发明提供一种电子部件，其具有底填材料容易浸入的结构。电子部件(1)包括：形成在基片(2)上的、将导体层(M1～M4)和绝缘层(6～8)交替层叠而成的功能层(10)；和设置在绝缘层(8)上的端子电极(41～44)。位于最上层的绝缘层(8)，其平面形状为大致矩形，且具有在俯视时从各边(E1～E4)起在平面方向上突出的突出部(81～84)。由此，当在上下反转装载于母板后，供给底填材料时，底填材料因以突出部(81～84)为起点的表面张力而浸入到母板与电子部件的间隙。因此，即使在母板和电子部件的间隙窄的情况下，也能够使底填材料容易浸入。

公开(公告)号：CN113453426B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110314607.7

申请日：2021-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大庭悠辅 ,  吉田健一 ,  大塚隆史 ,  奥山祐一郎 ,  花井智也 ,  深江优

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/18 ,  H01G4/40 ,  H01G4/002 ,  H01G4/06

Abstract: 本发明提供一种电子部件，其具有底填材料容易浸入的结构。电子部件(1)包括：形成在基片(2)上的、将导体层(M1～M4)和绝缘层(6～8)交替层叠而成的功能层(10)；和设置在绝缘层(8)上的端子电极(41～44)。位于最上层的绝缘层(8)，其平面形状为大致矩形，且具有在俯视时从各边(E1～E4)起在平面方向上突出的突出部(81～84)。由此，当在上下反转装载于母板后，供给底填材料时，底填材料因以突出部(81～84)为起点的表面张力而浸入到母板与电子部件的间隙。因此，即使在母板和电子部件的间隙窄的情况下，也能够使底填材料容易浸入。

公开(公告)号：CN116325495A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180065930.3

申请日：2021-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 深江优 ,  花井智也 ,  大庭悠辅 ,  吉田健一 ,  安田克治 ,  大塚隆史

IPC: H03H7/075

Abstract: 本发明的技术问题在于，在具有集成了电容器和电感器的3层以上的导体层的电子部件中，防止因绝缘层的应力而引起的界面剥离。本发明的电子部件(1)具备：导体层(M1)，其包括构成电感器的导体图案(25)；导体图案(31)，其隔着电介质膜(4)与导体图案(25)的一部分重叠；绝缘层(11)，其覆盖导体层(M1)和导体图案(31)；导体层(M2)，其设置于绝缘层(11)上，并且包括构成电感器的导体图案(55)；以及绝缘层(12)，其覆盖导体层(M2)。导体层(M2)还包括：虚设图案(56)，其从导体图案(55)分支或独立地设置，并且与导体图案(31)重叠。由此，由于绝缘层(12)的应力未直接施加于导体图案(31)，因此，防止在导体层(M1)和电介质膜(4)的界面的剥离。

公开(公告)号：CN111747730A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010218573.7

申请日：2020-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大庭悠辅 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/057 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000、0.375≤x≤0.563、0.250≤y≤0.500、x/3≤z≤(x/3)+1/9的关系，电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(110)面的衍射峰的半峰全宽为0.40°以上。由此，能够提供即使是薄膜，绝缘破坏电压也较高的电介质膜。

公开(公告)号：CN111747729A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010217663.4

申请日：2020-03-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  大庭悠辅

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。