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公开(公告)号：CN113345322A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010136613.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: G09F9/30 , G09F9/37 , G02F1/167 , G02F1/1685
Abstract: 本发明提供一种显示面板的走线结构包括第一金属层以及第二金属层。第一金属层用于传输第一电压。第二金属层设置在第一金属层之下，用于传输第二电压。第一金属层及第二金属层在显示面板上形成走线结构，使走线结构具有电容结构。走线结构用于连接电源输入以及面板驱动电路。
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公开(公告)号：CN108695434A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710222765.3
申请日：2017-04-07
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L29/41733 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L51/0004 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法，有机薄膜晶体管包含基板、疏水层、氧化层、亲水层、半导体层与源极或漏极层。疏水层覆盖基板的表面。氧化层位于疏水层上，且氧化层具有多个区段。亲水层位于氧化层的区段上，且氧化层位于亲水层与疏水层之间。半导体层位于亲水层上，且亲水层位于半导体层与氧化层之间。源极或漏极层跨接于氧化层的区段上的半导体层上。有机薄膜晶体管的亲水层不需经过光阻涂布、曝光、显影与蚀刻等步骤，便可将亲水层图案化，使得亲水层不会接触到光阻而被破坏。在后续工艺中，具有亲水性的半导体层将不会因图案化亲水层的步骤而影响其排列。
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公开(公告)号：CN108305576A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710025908.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: G09G3/00
CPC classification number: G09G3/006 , G09G3/2018 , G09G2300/0413 , G09G2310/0264 , G09G2320/0295
Abstract: 本发明提供一种显示装置包括显示面板以及驱动电路。显示面板包括显示区域以及非显示区域，非显示区域包括多个相互连接的虚拟像素。驱动电路提供栅极驱动电压以及测试数据电压，使相互连接的虚拟像素反应测试数据电压产生充电速率测试信号，以有效地测量像素电压的充电速率。
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公开(公告)号：CN103579358B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201310110856.X
申请日：2013-03-21
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: 本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括栅极、介电层、金属氧化物半导体通道、源极以及漏极。栅极与金属氧化物半导体通道重叠。介电层阻隔栅极、源极以及漏极。源极以及漏极分别位于金属氧化物半导体通道的相对两侧。金属氧化物半导体通道包括金属氧化物半导体层以及配置于金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米微结构。此外，上述薄膜晶体管的显示面板及其制造方法也被提出。
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公开(公告)号：CN103840010B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310298401.5
申请日：2013-07-16
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管与其制造方法及具有其的阵列基板和显示装置。在薄膜晶体管金属氧化物半导体层的上方形成一层金属图案层，以隔绝外界水、氧与光对金属氧化物半导体层的影响。
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公开(公告)号：CN104465390A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310565481.6
申请日：2013-11-14
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/66234 , H01L29/66272 , H01L29/66666 , H01L29/732 , H01L51/055 , H01L51/057 , H01L2251/305
Abstract: 本发明公开了一种纵向晶体管及其制造方法。制造方法包括：在基板上形成第一图案化导电层；在第一图案化导电层上形成图案化金属氧化物层，图案化金属氧化物层包括第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层；形成半导体层；形成第三图案化导电层。第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层以同一金属氧化物材料形成，且第二图案化导电层的氧浓度与第一图案化绝缘层以及第二图案化绝缘层的氧浓度不同。
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公开(公告)号：CN103595929A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210377386.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/1443 , H04N5/361 , H04N5/3765
Abstract: 本发明是有关一种光感测器，其包括一光电管。光电管的栅极用以接收一栅极驱动信号。光电管根据栅极驱动信号来感测一光源，以产生一光电流信号。光电管包括一金属氧化物主动层。栅极驱动信号在一捕捉期间具有一第一电压准位，在一读取期间具有一第二电压准位，并且第一电压准位高于第二电压准位。光电管的栅极驱动信号在操作上引入一个可以让超量载子快速消灭的机制，因此光电管反应快速并同时保有良好的光灵敏度。另外，一种上述光电管的驱动方法亦被提出。
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公开(公告)号：CN103165679A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210537075.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明在此揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包含金属氧化物半导体层、绝缘层、栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层包含通道区、源极区及漏极区。通道区具有至少一第一区域以及一第二区域，第一区域的氧空缺浓度大于第二区域的氧空缺浓度。第一区域被第二区域围绕。绝缘层配置在通道区上。源极区及漏极区分别位于通道区的相对两侧。栅极配置在绝缘层上。源极及漏极分别电性连接源极区与漏极区。
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公开(公告)号：CN108695434B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201710222765.3
申请日：2017-04-07
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法，有机薄膜晶体管包含基板、疏水层、氧化层、亲水层、半导体层与源极或漏极层。疏水层覆盖基板的表面。氧化层位于疏水层上，且氧化层具有多个区段。亲水层位于氧化层的区段上，且氧化层位于亲水层与疏水层之间。半导体层位于亲水层上，且亲水层位于半导体层与氧化层之间。源极或漏极层跨接于氧化层的区段上的半导体层上。有机薄膜晶体管的亲水层不需经过光阻涂布、曝光、显影与蚀刻等步骤，便可将亲水层图案化，使得亲水层不会接触到光阻而被破坏。在后续工艺中，具有亲水性的半导体层将不会因图案化亲水层的步骤而影响其排列。
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公开(公告)号：CN108072683B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201610988314.6
申请日：2016-11-10
Applicant: 元太科技工业股份有限公司
IPC: G01N27/04 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种感测元件及其形成方法，其中感测元件包含多个第一导电纳米结构、导电层以及至少一个电极。导电层覆盖这些第一导电纳米结构。导电层的材料熔点高于这些第一导电纳米结构的材料熔点。导电层与这些第一导电纳米结构的其中至少一个是对气体敏感的。电极电性连接这些第一导电纳米结构与导电层的其中至少一个。当导电纳米结构与导电层经过加热处理时，导电层可保护导电纳米材料免于因为加热处理而熔化，也可助于满足气体感测器的高温操作需求。
