公开(公告)号：CN103668443B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310359171.9

申请日：2013-08-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B19/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/64 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813 ,  H01L33/0075 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体单晶及其制造方法、自立式衬底和半导体器件。本发明的一个目的是提供一种制造第III族氮化物半导体单晶的方法，该方法使得能够通过具有任意内侧直径的坩埚制造具有平坦表面的第III族氮化物半导体单晶；提供了从第III族氮化物半导体单晶获得的自立式衬底，并提供了使用自立式衬底的半导体器件。制造方法包括添加模板、熔剂和半导体原材料到坩埚中并在旋转条件下生长第III族氮化物半导体单晶。在半导体单晶生长的过程中，具有内侧直径R(mm)的坩埚旋转的最大转速ω(rpm)满足以下条件：ω1-4≤ω≤ω1+4；ω1＝10z；和z＝-0.78×log10(R)+3.1。

公开(公告)号：CN103668443A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310359171.9

申请日：2013-08-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B19/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/64 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813 ,  H01L33/0075 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体单晶及其制造方法、自立式衬底和半导体器件。本发明的一个目的是提供一种制造第III族氮化物半导体单晶的方法，该方法使得能够通过具有任意内侧直径的坩埚制造具有平坦表面的第III族氮化物半导体单晶；提供了从第III族氮化物半导体单晶获得的自立式衬底，并提供了使用自立式衬底的半导体器件。制造方法包括添加模板、熔剂和半导体原材料到坩埚中并在旋转条件下生长第III族氮化物半导体单晶。在半导体单晶生长的过程中，具有内侧直径R(mm)的坩埚旋转的最大转速ω(rpm)满足以下条件：ω1-4≤ω≤ω1+4；ω1＝10z；和z＝-0.78×log10(R)+3.1。

公开(公告)号：CN101405438A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009623.3

申请日：2007-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 一种使用含易氧化性物质的助熔剂7生长氮化物单晶的装置，其具有用于收容助熔剂7的坩埚1、用于收容坩埚1并填充至少含氮气的气氛气体的压力容器20、配置在压力容器20内且在坩埚1外的炉体材料15A、15B、安装在炉体材料上的加热器17、18，以及覆盖炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层16A、16B。

公开(公告)号：CN1041224C

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN95104010.3

申请日：1995-04-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤野优 ,  鹰木洋

IPC: C30B19/00

CPC classification number: C30B19/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置，它包括一个外侧有高频加热装置的炉管，一个装在炉管内的两端开口的导电圆筒，和一个与圆筒元件同轴放置的由导电材料制成的坩埚。

公开(公告)号：CN109680334A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910172979.3

申请日：2019-03-07

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

Inventor： 李强 ,  张嵩 ,  王军山 ,  董增印 ,  兰飞飞 ,  王再恩 ,  刘金鑫 ,  张志欣

IPC: C30B29/40 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06

Abstract: 本发明公开了一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置。本装置在内部设计了籽晶夹具、反应容器、载物台等结构，在进行单晶外延生长时，降低载物台高度，可防止籽晶与未达到氮原子浓度过饱和的金属熔融液接触，从而避免了籽晶分解，防止表面质量劣化；传动杆连接的电机带动反应腔托盘转动，使反应容器及其内部坩埚与籽晶夹具产生相对转动，实现籽晶夹持杆对金属熔融液的搅拌，改善其内部的氮原子浓度均匀性，从而达到提高籽晶周围氮原子浓度的目的，避免晶体贫氮；半密封式的反应容器结构能够减少晶体生长过程中钠蒸气的逸出并阻挡外界杂质气氛，从而使金属钠能够持续发挥助熔剂的作用，为氮化镓单晶外延提供稳定、纯净的生长条件。

公开(公告)号：CN102362335A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013116.9

申请日：2010-04-15

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 弗雷德里克·F·兰格 ,  雅各布·J·理查森

IPC: H01L21/20 ,  B01J23/06

CPC classification number: C30B19/10 ,  C01G9/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/60 ,  C30B19/06 ,  C30B19/08 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024

Abstract: 本发明涉及合成ZnO的方法，所述方法包含使经ZnO饱和的生长溶液在含有衬底或晶种的较温热沉积区与含有ZnO源材料的较冷溶解区之间连续循环。

公开(公告)号：CN101760775A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910111527.0

申请日：2009-04-17

Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司

Inventor： 张伟娜 ,  郑智雄 ,  南毅 ,  马殿军 ,  王致绪 ,  邹予 ,  戴文伟

IPC: C30B19/00

CPC classification number: C30B19/06

Abstract: 一种连续液相外延法制备薄膜的方法和装置，属于液相外延技术领域。本发明使用一种至少具两个旋转单元的设备进行液相外延生长，衬底片可在旋转单元中轮流进行外延操作，每次操作完毕，不必等炉膛完全冷却，即将衬底片上升至其中的一个旋转单元内，离开炉膛上方进行冷却，同时将另一旋转单元内第二批次的衬底片转入炉膛，进行第二批次的液相外延操作，如此重复，消除了现有技术炉膛必须冷却后再重新升温，能量大量浪费的弊端。

公开(公告)号：CN1120604A

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：CN95104010.3

申请日：1995-04-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 藤野优 ,  鹰木洋

IPC: C30B19/00

CPC classification number: C30B19/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置，它包括一个外侧有高频加热装置的炉管，一个装在炉管内的两端开口的导电圆筒，和一个与圆筒元件同轴放置的由导电材料制成的坩埚。

公开(公告)号：CN105452545A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044635.X

申请日：2014-08-05

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 佐藤隆 ,  皿山正二 ,  林昌弘 ,  和田纯一

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B19/068 ,  C30B29/406

Abstract: 一种方法用于通过助熔剂法制造第13族氮化物晶体。该方法包括：将种晶和含有碱金属或碱土金属和第13族元素的混合熔体置于反应容器中；以及使所述反应容器旋转以搅拌所述混合熔体。所述反应容器包括搅拌所述混合熔体的结构体。将多于一个种晶相对于所述反应容器的中心轴点对称地安置于除该中心轴以外的位置处，使得每个种晶的c平面均与所述反应容器的底部基本平行。将所述结构体相对于所述中心轴点对称地安置于所述反应容器的除中心轴以外的至少部分处。

公开(公告)号：CN103282558B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180062911.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。