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公开(公告)号：CN101709504B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910111784.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的装置。该装置包括一过滤器腔体，一位于腔体顶部的过滤器盖，一位于过滤器中央的进气管道，一位于过滤器腔体侧面的排气管道，其特征在于：所述的过滤器腔体内底部有一有机硅油层，有机硅油层上方有一滤网，所述的进气管道出口位于所述的有机硅油层与滤网之间。当气流携带各种杂质从炉室离开进入真空泵之前，先经油过滤器将杂质过滤，就不会危害到真空泵油，也就相应提高了真空泵的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101709503B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910111783.X
申请日：2009-05-11
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的方法。本发明的方法是在真空泵和炉室之间的真空抽气管道上安置一个油过滤器，过滤掉气流从炉室中携带出的各种杂质。当气流携带各种杂质从炉室离开进入真空泵之前，先经油过滤器将杂质过滤，就不会危害到真空泵油，也就相应提高了真空泵的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101660209B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910112125.2
申请日：2009-06-25
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
Abstract: 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置，该方法包括将多晶硅铸锭从炉室中取出后，立即放置于一个与多晶硅锭形状匹配的保温装置内，自然放置3天～30天后取出；取出后立即去除边皮，并破成标准方锭保存。该装置包括一保温罩及一手车，所述的保温罩为六面体结构。使用本发明的方法和装置，使多晶硅铸锭均匀冷却，则其几乎不会产生热应力；冷却后取出多晶硅锭，并立即将杂质较为集中的边皮去掉，则减少了杂质导致的应力集中，避免杂质存在时导致的顶部开裂。
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公开(公告)号：CN101764178A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111541.0
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/208
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅基太阳能薄膜的制备方法，属于半导体材料及太阳能电池材料领域。该方法包括以下步骤：首先将溶剂合金溶解，然后将6N高纯硅料溶解于溶剂中，再将纯度小于6N的衬底硅片置于溶液内，降温，使高纯硅料外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可将4-5N衬底硅片表面外延生长出所需厚度的6N硅薄膜。
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公开(公告)号：CN101764177A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111539.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅基太阳能薄膜的制备方法，涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤：首先将In溶解，然后将装有衬底硅片的衬底夹具置入In中，升温，通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量，溶解30μm-40μm左右后开始降温，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可由4-5N衬底硅片外延生长得到6N硅片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101760777A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B19/06
Abstract: 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
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公开(公告)号：CN101713100A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910111786.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种减少单晶棒内应力的方法和装置。该方法包括将温度为200～300℃的单晶棒从炉室中取出后，立即装入一种保温装置，该单晶棒置于该保温装置中自然冷却至室温。该装置包括一个圆筒体及一手车，所述的圆筒体内表面具一保温层。依靠本发明装置的保温效果，通过热时效就可以很好的去除单晶棒的残余内应力，从而减少切片时碎片造成的损失。
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公开(公告)号：CN101709506A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910111785.9
申请日：2009-05-11
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明涉及一种单晶炉热场的排气方法和装置，其在单晶炉热场的上保温罩开上排气口，使气流由上排气口流出，经过保温罩与炉壁之间的间隙进入抽气管道，由真空泵抽离；本发明装置包括炉壁、石墨坩埚、石英坩埚、加热器、保温罩、导流筒，其特征在于：保温罩包括上保温罩、主保温罩及下保温罩，上保温罩上开设有上排气口，所述的炉壁和保温罩之间留有间隙。本发明热场中的排气气流通道，由于不经过底部加热器，故不会造成热量的无意义损耗，较原有下排气热场更加节能，同时提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102790125A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110129055.9
申请日：2011-05-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种提升太阳能电池效率的方法，属于太阳能电池领域。本发明在太阳能电池成品原有的减反射膜上，再制备单层或多层减反射膜，然后采用机械、激光、化学等方法，去除覆盖在电池正表面主栅线表面的减反射膜。本发明对现有的太阳能电池生产工艺不影响，且可直接与现有工艺衔接，对太阳能电池成品的性能进行再提升。
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