-
公开(公告)号：CN101760777B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B19/06
Abstract: 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明专利可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
-
公开(公告)号：CN101660208A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910112123.3
申请日：2009-06-25
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
Abstract: 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法。本发明是将多晶硅锭放置于超声振荡清洗机中，同时放入100℃的水，开加热器，使水保持沸腾状态，开启超声波清洗机，使其保持高频振荡状态，逐渐冷却后将硅锭取出。取出后，立即将硅锭去边皮后破成小方锭，空气中储存。采用本发明方法可大大减少多晶硅铸锭应力。
-
公开(公告)号：CN101660208B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910112123.3
申请日：2009-06-25
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
Abstract: 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法。本发明是将多晶硅锭放置于超声振荡清洗机中，同时放入100℃的水，开加热器，使水保持沸腾状态，开启超声波清洗机，使其保持高频振荡状态，逐渐冷却后将硅锭取出。取出后，立即将硅锭去边皮后破成小方锭，空气中储存。采用本发明方法可大大减少多晶硅铸锭应力。
-
公开(公告)号：CN101660209A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910112125.2
申请日：2009-06-25
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
Abstract: 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置，该方法包括将多晶硅铸锭从炉室中取出后，立即放置于一个与多晶硅锭形状匹配的保温装置内，自然放置3天～30天后取出；取出后立即去除边皮，并破成标准方锭保存。该装置包括一保温罩及一手车，所述的保温罩为六面体结构。使用本发明的方法和装置，使多晶硅铸锭均匀冷却，则其几乎不会产生热应力；冷却后取出多晶硅锭，并立即将杂质较为集中的边皮去掉，则减少了杂质导致的应力集中，避免杂质存在时导致的顶部开裂。
-
公开(公告)号：CN101660209B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910112125.2
申请日：2009-06-25
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
Abstract: 本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置，该方法包括将多晶硅铸锭从炉室中取出后，立即放置于一个与多晶硅锭形状匹配的保温装置内，自然放置3天～30天后取出；取出后立即去除边皮，并破成标准方锭保存。该装置包括一保温罩及一手车，所述的保温罩为六面体结构。使用本发明的方法和装置，使多晶硅铸锭均匀冷却，则其几乎不会产生热应力；冷却后取出多晶硅锭，并立即将杂质较为集中的边皮去掉，则减少了杂质导致的应力集中，避免杂质存在时导致的顶部开裂。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101760777A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B19/06
Abstract: 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
-
公开(公告)号：CN101713100A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910111786.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种减少单晶棒内应力的方法和装置。该方法包括将温度为200～300℃的单晶棒从炉室中取出后，立即装入一种保温装置，该单晶棒置于该保温装置中自然冷却至室温。该装置包括一个圆筒体及一手车，所述的圆筒体内表面具一保温层。依靠本发明装置的保温效果，通过热时效就可以很好的去除单晶棒的残余内应力，从而减少切片时碎片造成的损失。
-
公开(公告)号：CN101762158B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910111526.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C01B33/037 , F27B14/14 , F27B14/04 , C22B9/00
Abstract: 一种采用液态滤网冶金提纯的方法和装置，属于冶金领域。本发明专利方法包括，定向凝固冶金提纯金属过程中加入一定量的其他低熔点金属或合金元素，在铸锭冷却过程中低熔点合金形成液态滤网，而被提纯金属中各种杂质随滤网由下而上过滤到铸锭表面。装置包括：真空炉体；设置于炉体中的石墨坩埚；设置于石墨坩埚外围的隔热笼；位于石墨坩埚与隔热笼之间的加热器，以及位于底部的定点充气冷却系统。本发明装置在铸锭炉基础上，不仅对热场做了恰当改进，还增加了定点充气冷却系统，使之适用于过滤法冶金提纯。
-
公开(公告)号：CN101762158A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111526.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: F27B14/14 , F27B14/04 , C22B9/00 , C01B33/037
Abstract: 一种采用液态滤网冶金提纯的方法和装置，属于冶金领域。本发明方法包括，定向凝固冶金提纯金属过程中加入一定量的其他低熔点金属或合金元素，在铸锭冷却过程中低熔点合金形成液态滤网，而被提纯金属中各种杂质随滤网由下而上过滤到铸锭表面。装置包括：真空炉体；设置于炉体中的石墨坩埚；设置于石墨坩埚外围的隔热笼；位于石墨坩埚与隔热笼之间的加热器，以及位于底部的定点充气冷却系统。本发明装置在铸锭炉基础上，不仅对热场做了恰当改进，还增加了定点充气冷却系统，使之适用于过滤法冶金提纯。
-
公开(公告)号：CN101760776A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111528.5
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B19/06
Abstract: 一种液相外延法制取薄膜的衬底夹具，涉及一种液相外延设备，其包括：一位于上端的连接轴，可拆卸地或固定地与升降旋转轴连接；一位于中部的夹板单元，包括一上夹板及一下夹板；一熔料室，可拆卸地连接于位于所述的下夹板下方。本发明，夹具的上下夹板之间可装多个衬底硅片，可一次性生产多个外延硅片；夹具可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温场不均匀带来的生长差异，生长出来的液相外延片厚度均匀。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.132 seconds)
