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公开(公告)号：CN112204473A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036860.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 阿姆斯特丹自由大学基金会 , 荷兰科学研究机构基金会 , 阿姆斯特丹大学 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于确定结构的特性的方法和设备。在一种布置中，利用第一照射辐射照射结构以产生第一散射辐射。通过第一散射辐射的到达传感器的部分与第一参考辐射之间的干涉形成第一干涉图案。还利用第二照射辐射从不同方向照射该结构。使用第二参考辐射形成第二干涉图案。第一和第二干涉图案用于确定结构的特性。第一和第二参考辐射到传感器上的方位角是不同的。
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公开(公告)号：CN112204473B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201980036860.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 阿姆斯特丹自由大学基金会 , 荷兰科学研究机构基金会 , 阿姆斯特丹大学 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于确定结构的特性的方法和设备。在一种布置中，利用第一照射辐射照射结构以产生第一散射辐射。通过第一散射辐射的到达传感器的部分与第一参考辐射之间的干涉形成第一干涉图案。还利用第二照射辐射从不同方向照射该结构。使用第二参考辐射形成第二干涉图案。第一和第二干涉图案用于确定结构的特性。第一和第二参考辐射到传感器上的方位角是不同的。
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公开(公告)号：CN112530828B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011419885.0
申请日：2015-05-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/66 , G03F7/20 , G06F30/20 , G06F30/398
Abstract: 本文公开了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令配置成使计算机系统至少：获得关于来自设计布局的一部分的热点的信息，所述设计布局将由器件制造过程处理到衬底上；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，使用所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；获得所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测使用所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或从其中选择的组合。
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公开(公告)号：CN114174890A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053628.1
申请日：2020-07-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本发明公开了一种相位调制器设备，包括用于调制输入辐射的至少一个第一相位调制器，以及包括这种相位调制器设备的量测装置。第一相位调制器包括：第一移动光栅，该第一移动光栅处于至少一种操作状态，用于衍射输入辐射并且使经衍射辐射的频率发生多普勒偏移；以及第一补偿光栅元件，包括节距，该节距被配置为补偿所述经衍射辐射的至少一个衍射阶的波长相关色散。
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公开(公告)号：CN113260924A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980086975.1
申请日：2019-12-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括接收在量测设备中形成的图像，其中所述图像至少包括至少两个衍射阶的所得效果，以及处理该图像，其中所述处理至少包括滤波步骤，例如傅立叶滤波。应用滤波器的过程也可以通过在所述量测设备的检测支路中放置孔阑来获得。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108292111B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201680069983.1
申请日：2016-10-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 光刻设备具有衬底位于上面的衬底台和用于测量衬底的对准的对准传感器。在示例性处理方法中，对准传感器用于在第一步骤中执行一个或更多个边缘测量。在第二步骤中，在衬底的凹口上执行一个或更多个边缘测量。边缘测量值然后用于在光刻设备中对准衬底。在具体的示例中，衬底相对于对准传感器布置，以使得边缘表面的一部分被定位在透镜的焦距处。当对准传感器检测被透镜的焦距处的边缘表面散射的辐射时，检测衬底的边缘的存在。
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公开(公告)号：CN110799905A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880043171.9
申请日：2018-05-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻过程的重叠误差是使用多个目标结构测量的，每个目标结构具有已知的重叠偏差。检测系统获取表示在多个不同的获取条件(λ1、λ2)下由所述目标结构衍射的辐射的选定部分的多个图像(740)。将所述被获取的图像的像素值组合(748)以获得一个或更多个合成图像(750)。从一个或更多个合成图像提取(744)多个合成衍射信号，且使用所述多个合成衍射信号计算重叠的测量结果。相比于单独地从所述被获取的图像提取衍射信号，减小了计算负担。所述被获取的图像可以是使用散射仪获得的暗场图像或光瞳图像。
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公开(公告)号：CN108431692A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680074852.2
申请日：2016-12-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/70633 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G03F7/70625 , G03F7/7065 , H05G2/008
Abstract: 一种混合量测设备(1000、1100、1200、1300、1400)测量通过光刻制造的结构(T)。一种EUV量测设备(244，IL1/DET1)利用EUV辐射照射所述结构且从所述结构检测第一光谱。另一种量测设备(240，IL2/DET2)利用包括EUV辐射或较长波长辐射的第二辐射照射所述结构且检测第二光谱。处理器(MPU)将所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱一起使用来确定所述结构的属性(CD/OV)。所述光谱可按照各种方式组合。例如，所检测到的第一光谱可用来控制用以捕捉所述第二光谱的检测和/或照射的一个或更多个参数，反之亦然。第一光谱可用于区分结构中的不同层(T1，T2)的属性。第一和第二辐射源(SRC1，SRC2)可共用一种公共驱动激光器(LAS)。
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公开(公告)号：CN108369389A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680074454.0
申请日：2016-12-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70525 , G03F7/702 , G03F7/70641 , G03F7/70683 , G03F7/7085
Abstract: 光刻设备(LA)在衬底上印制产品特征和至少一个聚焦量测图案(T)。焦点量测图案由反射式掩模版限定，并且使用以倾斜角度(θ)入射的EUV辐射(404)执行印制。聚焦量测图案包括第一特征(422)组的周期性阵列。相邻的第一特征组之间的间隔(S1)远大于每个组内的第一特征的尺寸(CD)。由于倾斜的照射，印制的第一特征作为聚焦误差的函数而变形和/或位移。可以提供第二特征424作为可以看到第一特征的位移的参考。这种变形和/或位移的测量值可以通过测量不对称性作为印制的图案的性质而得到。测量可以在更长的波长下完成，例如在350-800nm的范围内。
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公开(公告)号：CN108139696A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060628.8
申请日：2016-09-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： N·潘迪 , A·J·登鲍埃夫 , H·M·马尔德 , W·R·彭格斯 , 鲍拉斯·安东尼斯·安德里亚斯·特尤尼森
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种形貌测量系统包括：辐射源，配置为产生辐射束；空间编码光栅，配置成对辐射束进行图案化并由此提供空间编码辐射束；光学装置，配置为在衬底上的目标部位处形成空间编码光栅的图像；检测光学装置，配置成接收从衬底的目标部位反射的辐射并且在第二光栅处形成光栅图像的图像；以及检测器，配置成接收透过第二光栅的辐射并且产生输出信号。
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