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公开(公告)号：CN112204473A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036860.1
申请日：2019-03-19
申请人： 阿姆斯特丹自由大学基金会 , 荷兰科学研究机构基金会 , 阿姆斯特丹大学 , ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了一种用于确定结构的特性的方法和设备。在一种布置中，利用第一照射辐射照射结构以产生第一散射辐射。通过第一散射辐射的到达传感器的部分与第一参考辐射之间的干涉形成第一干涉图案。还利用第二照射辐射从不同方向照射该结构。使用第二参考辐射形成第二干涉图案。第一和第二干涉图案用于确定结构的特性。第一和第二参考辐射到传感器上的方位角是不同的。
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公开(公告)号：CN112204473B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201980036860.1
申请日：2019-03-19
申请人： 阿姆斯特丹自由大学基金会 , 荷兰科学研究机构基金会 , 阿姆斯特丹大学 , ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了一种用于确定结构的特性的方法和设备。在一种布置中，利用第一照射辐射照射结构以产生第一散射辐射。通过第一散射辐射的到达传感器的部分与第一参考辐射之间的干涉形成第一干涉图案。还利用第二照射辐射从不同方向照射该结构。使用第二参考辐射形成第二干涉图案。第一和第二干涉图案用于确定结构的特性。第一和第二参考辐射到传感器上的方位角是不同的。
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公开(公告)号：CN118891586A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027766.6
申请日：2023-02-22
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·登博夫 , T·T·M·范沙伊克 , R·D·布吉思 , J·F·迪鲍尔 , C·弥赛西
摘要： 披露了一种用于确定衬底上的结构相对于名义竖直位置的竖直位置的方法。所述方法包括：针对多个不同波长，获得与来自所述结构的散射辐射相关的复合场数据；根据所述复合场数据确定相位参数随波长的变化；以及根据所确定的相位随波长的变化来确定相对于名义竖直位置的所述竖直位置。
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公开(公告)号：CN114830043A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080087946.X
申请日：2020-10-21
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 本发明披露一种暗场数字全息显微镜，所述暗场数字全息显微镜被配置成确定结构的所关注的特性。所述暗场数字全息显微镜包括：照射装置，所述照射装置被配置成至少提供：第一束对，所述第一束对包括第一照射辐射束(1010)和第一参考辐射束(1030)；和第二束对，所述第二束对包括第二照射辐射束(1020)和第二参考辐射束(1040)；和一个或更多个光学元件(1070)，所述一个或更多个光学元件能够操作以捕获由所述结构散射的第一散射辐射且捕获由所述结构散射的第二散射辐射，所述第一散射辐射和所述第二散射辐射分别由所述第一照射束和所述第二照射束而产生。所述第一束对的束是相互相干的，以及所述第二束对的束是相互相干的。所述照射装置被配置成在所述第一束对与所述第二束对之间强加非相干性(ADI)。
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