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公开(公告)号：CN105069247A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510519174.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法，提出引入微波部件金属接触处的微观形貌和接触状态的金属接触非线性模型的方法，实现了考虑金属接触非线性的微波部件的电磁场分析，再采用时域有限差分法计算了不考虑金属接触非线性的微波部件输出端口的电磁场，将两个信号进行时域对消，降低了数值计算误差的干扰，突出了无源互调小信号，使得微波部件的无源互调产物的计算结果更加精确，解决了微波部件无源互调缺乏数值分析手段的难题。
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公开(公告)号：CN116770267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310639832.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
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公开(公告)号：CN105069247B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510519174.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法，提出引入微波部件金属接触处的微观形貌和接触状态的金属接触非线性模型的方法，实现了考虑金属接触非线性的微波部件的电磁场分析，再采用时域有限差分法计算了不考虑金属接触非线性的微波部件输出端口的电磁场，将两个信号进行时域对消，降低了数值计算误差的干扰，突出了无源互调小信号，使得微波部件的无源互调产物的计算结果更加精确，解决了微波部件无源互调缺乏数值分析手段的难题。
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公开(公告)号：CN106044757B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106501606A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610841946.X
申请日：2016-09-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02
Abstract: 一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法，它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察，获得表征实际表面形貌的微凸体的信息，包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径，使用这些信息最终得到接触界面在不通过压强下的收缩电阻。本发明能够跟踪获得表面的每一个微凸体的在不同压强下的状态及变化信息，可适用于任何形式的微凸体高度分布，不仅能计算的直流情况的收缩电阻，也能计算交流情况的接触界面的收缩电阻。本发明的结果可用于微波部件接触界面的等效电路模型的研究，为研究微波部件无源互调的非线性机理提供支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117010098A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310611486.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数圆柱孔阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸范围；S2、将规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸看做种群中的个体，对所有个体进行二进制编码，形成二进制编码位串，并对每个个体逐一进行编号；S3、根据规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算二次电子发射系数曲线并获取对应的最大二次电子发射系数；S4、基于工作频率以及规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算表面阻抗；所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN116842693A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310613273.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN113684453B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106156440B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610585498.1
申请日：2016-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励，在无源互调频率处进行电磁场仿真，最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平，从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题，可在滤波器设计阶段，有效仿真优化其无源互调性能。
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公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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