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公开(公告)号：CN119703125A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411889018.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: B22F10/28 , B22F1/08 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22C1/04 , C22C1/11 , C22C45/10 , B22F10/85 , B22F10/366 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的超宽带非晶合金天线的设计制造方法，包括：面向一体化增材制造进行空间微波部件优化设计，以偶极子发射前端为一体化微波部件的代表，利用折叠弓形天线和中心馈电环形天线组合实现天线中的电偶极和磁偶极；通过一对差分馈电实现天线信号的激励，提供可扩展性和易于增材制造实现的结构；基于选区激光熔化增材制造的高强度非晶合金实现技术，优选激光功率、扫描速度以及扫描策略；根据天线的结构特点调整角度摆放打印成型；对打印成型的非晶合金天线进行测试完成天线性能验证。本发明满足高强度、高可靠和一体化的要求，采用基于增材制造技术的非晶合金实现了在空间极端温度环境下具有高可靠的微波部件一体化技术。
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公开(公告)号：CN113517032B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN116770267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310639832.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
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公开(公告)号：CN113517032A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN119726022A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411876973.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可3D打印的Ka频段波导滤波器的设计方法，该Ka频段波导滤波器包括五边形谐振体，五边形谐振体包括一体相连通的矩形谐振体和三角形谐振体；矩形谐振体的一端一体连通有输入谐振器，矩形谐振体的另一端一体连通有所述的输出谐振器；三角形谐振体的侧壁上靠近顶角的位置开设有多个电镀孔；金属膜片将五边形谐振体分割为多个五边形谐振器。本发明提出的Ka频段波导滤波器，基于金属3D打印工艺，在三角形谐振体的侧壁上靠近顶角的位置开设有多个电镀孔，在保证电磁波不发生泄露及不影响滤波器整体电性能的基础上，使Ka频段波导滤波器在后期化学电镀时液体充分在Ka频段波导滤波器中流动，达到充分电镀的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116315539B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211203565.0
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种易于3D打印的大功率腔体滤波器，包括：至少两个球形谐振器和至少一个耦合孔；相邻两个球形谐振器之间通过一个耦合孔连通；其中，耦合孔的横向截面为封闭形状，纵向截面为通孔。本发明采用球形谐振器结合耦合孔的设计实现了无调谐双模设计，在达到预期电性能的前提下避免了传统调谐结构及可能的窄间距引发的微放电效应，提高了微放电阈值；提出了大耦合窗结构，在微波部件内部避免了窄间距和微小结构，进一步实现了微放电阈值的提升；同时兼顾考虑了3D打印的工艺特点，在一体化设计和实现的基础上，降低了大功率腔体滤波器对加工精度的需求，实现了抗无源互调设计；在空间工业和卫星大功率微波产品领域极具工程应用价值和市场前景。
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公开(公告)号：CN112281141B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011024329.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射系数抑制方法，属于介质表面二次电子发射系数抑制技术领域。本发明实现了多约束条件下基于可控碳纳米镀层的介质表面二次电子发射抑制方法，通过在金属基片表面原子层沉积可控的碳纳米薄膜，实现表面的二次电子发射系数的降低，二次电子发射系数降低幅度超过60％，在解决介质微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748769A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250-3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111307850A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
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公开(公告)号：CN109524750A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811369293.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，涉及微波无线通信领域。本发明公开的一种降低圆波导双工器无源互调装置及方法，利用介质法兰实现金属-空气-金属的接触，利用介质片实现金属-非导电介质-金属的接触，实现抑制微波部件无源互调。本发明装置包括非导电介质法兰、固定非导电介质法兰所需的金属螺钉、非导电介质片、非导电介质套、非导电介质螺钉。本发明具有结构简单、重量轻、设计成本率高、设计周期短的优点。本发明能够广泛应用于航空航天领域及地面通信领域。
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