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公开(公告)号：CN119682327A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411659629.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有能量选择特性的卫星用热控薄膜，具有能量选择特性的卫星用热控薄膜为多层复合结构，多层复合结构包括热控防护层、基底层和能量选择层，热控防护层与基底层的一侧贴合，基底层的另一侧与能量选择层贴合；热控防护层、基底层和能量选择层均为薄膜结构。本发明提出的在能量选择层上采用二极管的周期性结构，一方面发射太阳光谱，接收具有能量选择特性的卫星用热控薄膜的太阳吸收率，提升热控性能，另一方面能量选择层可以根据入射电磁信号的强弱而改变自身的表面阻抗特性，进而改变具有能量选择特性的卫星用热控薄膜的表面阻抗特性，实现弱电磁信号低损通过和强电磁信号抑制传输的空间强电磁环境防护能力，解决了现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN116842693A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310613273.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN110414053B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910569890.0
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种快速确定部件微放电阈值的时域数值模拟方法，包括：建立描述部件最小尺寸结构的三维几何模型，并将所述三维几何模型剖分成多个六面体网格；确定三维几何模型的边界和材料属性，以及材料的二次电子发射特性参数；采用宏粒子模拟空间中的自由电子，定义宏粒子的初始能量、电荷量、质量、初始分布状态和初始运动方向；建立宏粒子链表，并进行宏粒子链表初始化；基于三维几何模型、三维几何模型的边界和材料属性、材料的二次电子发射特性参数、以及宏粒子链表，从微放电阈值扫描功率起始值P0开始，进行微放电阈值数值模拟。通过本发明提高了微放电数值模拟的仿真效率。
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公开(公告)号：CN110442919B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201910631096.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06F30/25 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F111/08
Abstract: 本发明一种基于GPU架构的微波部件微放电数值模拟方法，步骤如下：1)建立微波部件的三维模型，确定三维模型的材料和材料的二次电子发射特性参数，确定微波部件微放电仿真参数；2)建立微波部件三维模型的网格模型与微放电电子的粒子模型；3)确定三维模型网格模型中电磁场初始分布和粒子的初始分布；4)基于GPU技术在每个小网格中求解麦克斯韦方程组迭代更新电磁场分布，获得M个时间步的所有电磁场值；5)求解洛仑兹力方程组迭代更新粒子运动，获得M个时间步每个时间步的总粒子数，完成输入功率为P时的微放电数值模拟，确定输入功率为P时微放电是否发生。
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公开(公告)号：CN113649249B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110718729B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910718691.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P1/04 , H01P11/00 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型无法兰波导连接结构，阳连接部包括第一标准波导、第一阻抗变换段、第一非标波导段和周期性金属凸体阵列，其中第一阻抗变换段位于第一标准波导与第一非标波导段之间，周期性金属凸体阵列设置于第一非标波导段的外壁四周，若干金属凸体以周期性布局规则分别均匀排列；阴连接部包括第二标准波导、第二阻抗变换段和扩大腔体结构，第二阻抗变换段位于第二标准波导与扩大腔体结构之间，扩大腔体结构设置于第二阻抗变换段的末端；阳连接部的带有周期性金属凸体阵列的一端插入阴连接部的扩大腔体结构中，形成紧凑型无法兰波导连接结构整体。本发明体积大幅缩小，更加有利于小型化设计和灵活布局，且插拔式设计可以实现更加方便灵活的装配。
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公开(公告)号：CN113718221A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028757.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN108767413B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810352845.5
申请日：2018-04-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 基于激光烧蚀表面处理的大功率介质微波部件微放电抑制方法，(1)确定待处理腔体微波部件的三维物理结构、输入功率P0，工作频率f0，工作波长λ0，输入载波信号x(t)以及微波部件材料特性；(2)根据介质微波部件三维物理结构和材料特性，建立三维几何模型，确定三维几何模型中任意位置处的电磁场量与电性能参数；根据电磁场幅度确定介质微波部件表面待处理区域；(3)采用激光烧蚀表面处理工艺在所述表面待处理区域材料表面构建微孔隙阵列，所述微孔隙为入口孔为封闭形状且具有一定深度的孔，微孔隙入口孔任意两点间距点最大距离为W，深度为H，且W≤H。
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公开(公告)号：CN108546929B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN110718729A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910718691.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P1/04 , H01P11/00 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型无法兰波导连接结构，阳连接部包括第一标准波导、第一阻抗变换段、第一非标波导段和周期性金属凸体阵列，其中第一阻抗变换段位于第一标准波导与第一非标波导段之间，周期性金属凸体阵列设置于第一非标波导段的外壁四周，若干金属凸体以周期性布局规则分别均匀排列；阴连接部包括第二标准波导、第二阻抗变换段和扩大腔体结构，第二阻抗变换段位于第二标准波导与扩大腔体结构之间，扩大腔体结构设置于第二阻抗变换段的末端；阳连接部的带有周期性金属凸体阵列的一端插入阴连接部的扩大腔体结构中，形成紧凑型无法兰波导连接结构整体。本发明体积大幅缩小，更加有利于小型化设计和灵活布局，且插拔式设计可以实现更加方便灵活的装配。
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