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公开(公告)号：CN110492204A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910717920.8
申请日：2019-08-05
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无法兰波导连接结构，包括阳连接部和阴连接部，阳连接部包括第一波导和周期性金属凸体阵列，其中周期性金属凸体阵列设置于第一波导的末端外壁四周表面，若干金属凸体以周期性布局规则分别均匀排列；阴连接部包括第二波导和扩大腔体结构，其中扩大腔体结构设置于第二波导的末端，阳连接部的带有周期性金属凸体阵列的一端插入阴连接部的扩大腔体结构中，形成无法兰波导连接结构整体。本发明所提无法兰波导连接结构相比传统波导法兰，体积大幅缩小，更加有利于结构布局，且插拔式设计可以实现更加方便灵活的装配。
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公开(公告)号：CN107104332B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710179476.X
申请日：2017-03-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无源互调抑制同轴连接器，该电连接器阴头内导体的内侧或者阳头内导体外侧上均匀平整镀覆内导体介质层，使得阳头内导体与阴头内导体之间不存在金属接触；阴头外导体和/或阳头外导体端部从内至外镀覆有外导体介质层，使阴头外导体与阳头外导体之间不存在金属接触。所述内导体介质层和外导体介质层材料为硅、硅类化合物、聚碳酸酯类材料或者聚合物材料。该连接器可以实现无源互调抑制，具有稳定性高、无源互调抑制效果显著等特点，满足航天器及地面通信系统的低无源互调要求，具有广泛的工程应用前景。
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公开(公告)号：CN108767413A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810352845.5
申请日：2018-04-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
CPC classification number: H01P11/00 , G06F17/5009 , H01P1/38
Abstract: 基于激光烧蚀表面处理的大功率介质微波部件微放电抑制方法，(1)确定待处理腔体微波部件的三维物理结构、输入功率P0，工作频率f0，工作波长λ0，输入载波信号x(t)以及微波部件材料特性；(2)根据介质微波部件三维物理结构和材料特性，建立三维几何模型，确定三维几何模型中任意位置处的电磁场量与电性能参数；根据电磁场幅度确定介质微波部件表面待处理区域；(3)采用激光烧蚀表面处理工艺在所述表面待处理区域材料表面构建微孔隙阵列，所述微孔隙为入口孔为封闭形状且具有一定深度的孔，微孔隙入口孔任意两点间距点最大距离为W，深度为H，且W≤H。
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公开(公告)号：CN107248605A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710465708.8
申请日：2017-06-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种大功率环行器，包括金属腔体(1)、铁氧体旋磁基片(2)和介质卡槽(3)；金属腔体(1)包括上盖、底座，上盖和底座上镜面对称位置有凹槽，上盖安装在底座上，上盖与底座之间形成空腔；铁氧体旋磁基片(2)位于介质卡槽(3)内；介质卡槽(3)安装在金属腔体(1)的空腔中，位于上盖和底座的凹槽之间，使得铁氧体旋磁基片(2)贴紧金属腔体(1)。本发明的方法首先通过初步电性能设计优化将最强场强集中于旋磁基片区域，然后在该区域加载多层同心介质圆环构成介电常数随空间变化的介质卡槽，然后进一步进行电性能优化与微放电仿真优化，在满足实际电性能需要的前提下实现微放电电子轨迹阻断，有效提升微放电阈值功率。
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公开(公告)号：CN102732931B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210215782.1
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种利用纳米结构镀层抑制微波部件表面二次电子发射的方法，微波部件经必要清洗后先涂刷保护胶，将不用处理的表面保护起来，然后利用磷酸进行电化学腐蚀处理,使铝合金表面形成孔径为100nm左右、深宽比大于10的多孔氧化铝膜层；反复清洗后去除保护胶，然后立即在氧化膜上蒸发镀一层厚度为50nm左右的银层，最后进行真空热处理。这样的处理一方面可改善镀层与基底的结合力，另一方面利用纳米银熔点显著降低的特性，使纳米银在氧化层表面自组装形成纳米陷阱结构的同时还能很好地保持镀银层连续性，在保证一定导电性的基础上实现了对二次电子发射的抑制。该方法与现行的微波部件处理工艺衔接良好，微波部件表面的二次电子发射系数受到明显抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320799B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310264149.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，特别涉及一种通过电化学腐蚀方法来抑制铝合金镀银表面的二次电子发射系数的方法，属于微放电技术领域。将微波部件内表面先用酸溶液进行阳极氧化处理，在微波部件内表面形成多孔结构，然后利用化学溶液腐蚀的方法增大孔的口径，最后在微波部件内表面溅射沉积金或银等导电性好的金属，使得微波部件内表面既具有低二次电子发射系数，又具有良好的导电性能。
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公开(公告)号：CN103196932B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310060163.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN109060854B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810695524.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法，首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息，然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间，进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量，最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息，结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件，判断电子是否从孔隙中出射，得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。
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公开(公告)号：CN102795591B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN103196932A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310060163.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。
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