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公开(公告)号：CN105203574B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510633084.7
申请日：2015-09-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种快速确定规则槽二次电子产额的方法，本发明将表面形貌对二次电子产额的影响划分成两个方面，一方面通过入射电子与表面作用的角度和入射电子能够照射的区域来影响产额大小，另一方面通过建立照射区域内形貌结构特征对出射电子的遮挡关系来反应产额的影响，最终通过与光滑表面产额的比拟快速获得表面形貌下的二次电子产额。本发明计算速度快，获得的二次电子发射产额与实验结果相吻合，可以定量的揭示出形貌特征对二次电子产额的影响规律，为加速器、高功率微波源的介质窗、大功率微波部件等领域中人工设计并调控特定二次电子产额下表面结构参数提供了有效方法。
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公开(公告)号：CN104852154B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510205187.3
申请日：2015-04-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种确定网状反射面天线无源互调量的方法，属于星载微波部件空间特殊效应技术领域。本发明通过建立实际网状反射面天线的等效网孔模型简化计算，将电大尺寸网状反射面天线的时域计算变为可能，同时保证了计算准确度，结合非线性电路模型的无源互调分析方法，通过一次仿真得到不同频率输入时产生每一阶的无源互调输出量，通过理想电路模型消除由于输入大信号对无源互调量小信号的湮没效应，消除时域分析中积累误差对无源互调量小信号的湮没效应，成功解决了电大尺寸网状反射面天线准确的电磁场分布计算与无源互调分析难题，填补了网状反射面天线无源互调分析技术空白，具有广阔的技术市场与应用前景。
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公开(公告)号：CN104569014B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410583366.6
申请日：2014-10-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置，涉及物理电子学领域；方法包括：步骤1，将待测样品放入真空腔体内的样品台；收集部分为四分之一球壳的电子收集装置位于上半空间；步骤2，旋转样品台，使待测样品倾斜所需测试角度θ，测试电子收集装置上流过的电流I1；步骤3，旋转样品台，使待测样品沿相反的方向倾斜角度θ，测试电流I2；步骤4，保持待测样品不动，将电子收集装置旋转至下半空间，测试电流I3；步骤5，测试入射电子电流Ip；得出入射角度θ下的二次电子发射系数δ；本发明具有测试结果精确，操作简单易行的优势，以克服现有技术中全球型收集极操作困难、半球型收集极一部分电子无法收集，施加偏压法对测试结果产生影响等问题。
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公开(公告)号：CN102880783B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210264416.5
申请日：2012-07-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种确定同轴结构微放电阈值的方法，确定同轴结构中的电子运动轨迹及电子运动速度；将出射速度满足的麦克斯韦分布的概率转化为渡越时间的联合概率密度函数；分别对四类概率密度函数进行最大值和单调性处理，得到处理后的联合概率密度函数；将电子的碰撞动能作为材料的二次电子发射特性的入射电子能量，获得该渡越时间下电子碰撞时产生的二次电子倍增函数；构建微放电时电子数目满足的稳态方程；通过求解稳态方程中有效二次电子倍增率，判断该电压是否会发生微放电；采用二分法逐步计算下一电压的有效倍增率，该有效倍增率为1时对应的电压即为微放电阈值。本发明能够获得准确的微放电阈值，同时获得阈值的速度快。
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公开(公告)号：CN102507608B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110291333.0
申请日：2011-09-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种确定中低能电子非弹性散射的方法，包括确定与电子互相作用的等离子体激元的中心频率上限的步骤；确定离散能量点上等离子体激元与电子相互作用的权重函数的步骤；确定各等离子体激元与电子相互作用的0阶贡献和1阶贡献的步骤；和确定非弹性散射的散射截面和散射角的步骤。采用本发明所述方法可以快速、精确的获得电子与固体相互作用发生非弹性散射的散射截面和散射角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119753628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411836384.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制空间行波管微小放电的方法，包括空间行波管，该方法是采用多种前驱体交替的作用方式在陶瓷原样表面上沉积三氧化二铝薄膜；陶瓷原样为空间行波管的陶瓷表面未沉积任何薄膜。多种前驱体为三甲基铝和水；沉积温度为250℃～350℃。本发明中利用在陶瓷原样表面沉积三氧化二铝薄膜的方式实现了陶瓷原样表面的二次电子发射系数的降低和沿面闪络电压的提高，从而降低了空间行波管微小放电发生的概率，在解决空间行波管微小放电的方面有较好的应用前景，对于提高航天器中空间行波管的可靠性具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN118158878A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410215527.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体面阵的强电磁脉冲防护装置及方法，强电磁脉冲防护装置包括基板及在基板上阵列排布的气体放电管，气体放电管内设置有正偏置电极和负偏置电极，正偏置电极和负偏置电极连接电源正负极，在正偏置电极和负偏置电极间形成偏置电压。本发明创造性地提出预置偏置电极与偏置电压的方法，解决了直接应用等离子体管能耗高、电磁信号截止等问题。通过构造气体放电管面阵，扩大了有效防护面积和应用范围；二者相结合，可有效弥补传统气体放电管及直接应用等离子体管的不足，从而可实现对卫星载荷射频通道的自适应强电磁脉冲防护，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117452150A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311237987.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种确定窄间隙低气压放电电压的方法及系统，综合考虑在窄间隙条件下，二次电子发射电流与场发射电流同时存在且共同作用的特点，修正了传统帕邢定理。同时考虑了窄间隙时，针‑板结构放电多路径效应，优化得到最终的窄间隙低气压放电电压确定方法，获得了与实验结果较吻合的窄间隙低气压放电电压值。
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公开(公告)号：CN113919191A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110988305.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种微波低气压放电的分析方法，针对微波低气压放电对场敏感且电子雪崩效应明显的特点，采用时域有限差分法精确计算微波场分布，再联合粒子连续性方程流体模拟微波场环境下低气压放电的过程，能够通过控制电磁场计算的精确度保证了放电分析的精度，通过流体算法，解决了带电粒子数目繁多时微波低气压放电计算效率较低的难题。
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公开(公告)号：CN105069247B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510519174.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法，提出引入微波部件金属接触处的微观形貌和接触状态的金属接触非线性模型的方法，实现了考虑金属接触非线性的微波部件的电磁场分析，再采用时域有限差分法计算了不考虑金属接触非线性的微波部件输出端口的电磁场，将两个信号进行时域对消，降低了数值计算误差的干扰，突出了无源互调小信号，使得微波部件的无源互调产物的计算结果更加精确，解决了微波部件无源互调缺乏数值分析手段的难题。
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