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公开(公告)号：CN113919191A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110988305.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种微波低气压放电的分析方法，针对微波低气压放电对场敏感且电子雪崩效应明显的特点，采用时域有限差分法精确计算微波场分布，再联合粒子连续性方程流体模拟微波场环境下低气压放电的过程，能够通过控制电磁场计算的精确度保证了放电分析的精度，通过流体算法，解决了带电粒子数目繁多时微波低气压放电计算效率较低的难题。
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公开(公告)号：CN113919191B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110988305.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种微波低气压放电的分析方法，针对微波低气压放电对场敏感且电子雪崩效应明显的特点，采用时域有限差分法精确计算微波场分布，再联合粒子连续性方程流体模拟微波场环境下低气压放电的过程，能够通过控制电磁场计算的精确度保证了放电分析的精度，通过流体算法，解决了带电粒子数目繁多时微波低气压放电计算效率较低的难题。
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公开(公告)号：CN113684453B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113684453A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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