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公开(公告)号：CN119753628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411836384.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制空间行波管微小放电的方法，包括空间行波管，该方法是采用多种前驱体交替的作用方式在陶瓷原样表面上沉积三氧化二铝薄膜；陶瓷原样为空间行波管的陶瓷表面未沉积任何薄膜。多种前驱体为三甲基铝和水；沉积温度为250℃～350℃。本发明中利用在陶瓷原样表面沉积三氧化二铝薄膜的方式实现了陶瓷原样表面的二次电子发射系数的降低和沿面闪络电压的提高，从而降低了空间行波管微小放电发生的概率，在解决空间行波管微小放电的方面有较好的应用前景，对于提高航天器中空间行波管的可靠性具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN116770267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310639832.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
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公开(公告)号：CN116403898A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310376595.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所 , 电子科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/66 , H01Q21/00 , H01Q13/02
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种以激光辅助刻蚀绝缘层介质制作深硅刻蚀的方法及应用，用HF酸、丙酮、无水乙醇依次对Si片进行清洗，去除表面自然氧化的氧化层以及其他的无机物；在待刻蚀的Si基板上，通过化学气相沉积工艺沉积一层绝缘层介质作为硬掩膜；将沉积完绝缘层介质的Si片表面进行高温氧化处理；利用激光刻蚀工艺在Si片表面刻出图形；将刻完图形的Si片进行标准的BOSCH干法刻蚀工艺，直到刻穿。本发明采用具有与Si高刻蚀选择比的绝缘层介质作为硬掩膜，相比于常规的光刻胶掩膜，具有更好的通孔形貌和质量；采用激光辅助刻蚀绝缘层介质，相比常规的深硅刻蚀工艺，工艺步骤少、效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN116321817A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310377521.8
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所 , 电子科技大学
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种高叠层精度LTCC电路基板的制作方法，包括以下步骤：在叠层工序中，设置平面载台用于放置隔离膜和生瓷片，该载台放置于绝缘台面上；使用胶带将隔离膜固定在载台上，将第一张生瓷片的瓷面朝下与隔离膜对位后，利用静电发生器产生的静电将生瓷片吸附于隔离膜上；去掉生瓷片的背膜，此时生瓷片依靠静电吸附抑制形变，随后将其余生瓷片按照同样方法依次产生静电、对位、去除背膜，完成叠层；将胶带撕除，对堆叠完成的多层电路生瓷坯体侧壁进行点胶固定；使用真空包封袋将生瓷堆叠体及隔离膜包封后进行热压，通过共烧工艺完成LTCC电路基板的共烧处理，实现LTCC电路基板高叠层精度和提高LTCC电路基板的性能。
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