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公开(公告)号：CN102515085B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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公开(公告)号：CN102795591A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN102515085A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110359776.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 微波部件表面纳米结构抑制二次电子发射的方法，包括以下步骤：在微波部件基体的良导体层上形成金属纳米结构；选定不同的测试条件，该测试条件包括纳米结构的孔隙率、深宽比以及纳米结构的形状；利用蒙特-卡洛方法模拟在不同测试条件下，电子入射在纳米结构中的碰撞、吸收及其所产生二次电子的碰撞、吸收和逃逸过程，得到理论上单个纳米结构中的二次电子发射产额；根据上述二次电子发射产额规律，利用多种表面处理工艺调节微波部件表面纳米结构的形状，深宽比及孔隙率，使其二次电子发射产额最小。该方法能够将的电化学银镀层表面处理微波部件的微放电阈值大幅度提高；更易于实现高深宽比二次电子陷阱结构，对表面粗糙度的影响一定程度上可以忽略，解决目前大粗糙度结构表面抑制SEY带来的负面效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106501606B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610841946.X
申请日：2016-09-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法，它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察，获得表征实际表面形貌的微凸体的信息，包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径，使用这些信息最终得到接触界面在不通过压强下的收缩电阻。本发明能够跟踪获得表面的每一个微凸体的在不同压强下的状态及变化信息，可适用于任何形式的微凸体高度分布，不仅能计算的直流情况的收缩电阻，也能计算交流情况的接触界面的收缩电阻。本发明的结果可用于微波部件接触界面的等效电路模型的研究，为研究微波部件无源互调的非线性机理提供支撑。
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公开(公告)号：CN106501606A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610841946.X
申请日：2016-09-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02
Abstract: 一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法，它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察，获得表征实际表面形貌的微凸体的信息，包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径，使用这些信息最终得到接触界面在不通过压强下的收缩电阻。本发明能够跟踪获得表面的每一个微凸体的在不同压强下的状态及变化信息，可适用于任何形式的微凸体高度分布，不仅能计算的直流情况的收缩电阻，也能计算交流情况的接触界面的收缩电阻。本发明的结果可用于微波部件接触界面的等效电路模型的研究，为研究微波部件无源互调的非线性机理提供支撑。
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公开(公告)号：CN103196932B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310060163.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN102795591B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210215615.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用规则阵列结构抑制金属表面SEY的方法。该规则阵列结构利用半导体器件领域的图形光刻工艺实现，典型阵列结构可以采用圆孔或者矩形槽结构，结构尺寸在几微米至几十微米。规则阵列结构形状决定于所设计的掩膜版，规则陷阱的深宽比决定于刻蚀时间。在相同深宽比及孔隙率条件下，圆孔陷阱表面SEY抑制效果优于矩形槽陷阱表面；对于同一种阵列结构，深宽比越大，孔隙率越大，SEY抑制效果越好。该技术对于卫星载荷中金属微波部件和粒子加速器中微放电效应抑制具有潜在的应用价值，即在不改变部件表面金属材料前提下，通过表面图形化光刻技术降低其表面SEY，从而较大幅度抑制微放电效应。同时，该技术还适用于行波管收集极等多种需要进行金属表面SEY抑制的特殊应用场合，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN103196932A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310060163.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)结合陷阱结构分布密度和平滑金属表面的二次电子发射系数确定任意的实际金属表面的二次电子发射系数。
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