公开(公告)号：CN108546929B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201810293001.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 谢贵柏 ,  苗光辉 ,  许建丽 ,  杨晶 ,  崔万照 ,  张洪太 ,  于洪喜 ,  王新波 ,  何鋆

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。

公开(公告)号：CN108546929A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810293001.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 谢贵柏 ,  苗光辉 ,  许建丽 ,  杨晶 ,  崔万照 ,  张洪太 ,  于洪喜 ,  王新波 ,  何鋆

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150-220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。