公开(公告)号：CN109728077B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201711047374.9

申请日：2017-10-31

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄伟豪 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  林盈志 ,  吕佳霖

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，包括：第一栅极线、第二栅极线以及第一杆状(bar‑shaped)接触结构。第一栅极线具有沿着第一方向延伸的第一长轴。第二栅极线平行第一栅极线。第一杆状接触结构具有第二长轴，与第一长轴夹度实质大于0°小于90°的角度。

公开(公告)号：CN105470200B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201410454861.7

申请日：2014-09-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 吕佳霖 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，包含有一基底、一设置于该基底上的第一金属栅极以及一设置于该基底上的第二金属栅极。该第一金属栅极包含有一第一功函数金属层与一形成于该第一功函数金属层上的第二功函数金属层，该第一功函数金属层包含有一渐尖形顶部，且该第一功函数金属层与该第二功函数金属层彼此互补。该第二金属栅极包含有该第二功函数金属层。

公开(公告)号：CN101369517A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710184914.8

申请日：2007-10-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 廖琨垣

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种单片式晶片清洁工艺，包含有下列步骤：首先提供一已蚀刻晶片，该已蚀刻晶片的一晶面具有光阻图案，接着进行灰化工艺以移除该光阻图案，然后将该已蚀刻晶片顶起，使该已蚀刻晶片降温，最后在该已蚀刻晶片保持顶起的状态下，进行干式清洁工艺。

公开(公告)号：CN119153459A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310811609.6

申请日：2023-07-04

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 黄靖文 ,  温智元 ,  郭龙恩 ,  林伯璋 ,  廖琨垣 ,  邱崇益

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开一种具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构及其制作方法，其中该具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构包含一基底，基底分为一高压晶体管区和一低压晶体管区，一深沟槽设置于高压晶体管区，其中深沟槽包含一第一沟槽和一第二沟槽，其中第一沟槽包含一第一底部，第二沟槽由第一底部开始往基底的底部延伸，一第一浅沟槽和一第二浅沟槽设置于低压晶体管区，其中第一浅沟槽的长度和第二沟槽的长度相同，一绝缘层分别填满第一沟槽、第二沟槽、第一浅沟槽和第二浅沟槽。

公开(公告)号：CN105575885B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201410541924.2

申请日：2014-10-14

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 洪庆文 ,  黄志森 ,  陈意维 ,  林建廷 ,  邹世芳 ,  吕佳霖 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  陈界得

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法包括：首先提供一基底，然后形成多个栅极结构于基底上，形成一第一停止层于栅极结构上，形成一第二停止层于第一停止层上，形成一第一介电层于第二停止层上，形成多个第一开口于第一介电层中并暴露第二停止层，形成多个第二开口于第一介电层及第二停止层中并暴露第一停止层以及去除部分第二停止层及部分第一停止层以暴露出栅极结构。

公开(公告)号：CN105470200A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410454861.7

申请日：2014-09-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 吕佳霖 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，包含有一基底、一设置于该基底上的第一金属栅极以及一设置于该基底上的第二金属栅极。该第一金属栅极包含有一第一功函数金属层与一形成于该第一功函数金属层上的第二功函数金属层，该第一功函数金属层包含有一渐尖形顶部，且该第一功函数金属层与该第二功函数金属层彼此互补。该第二金属栅极包含有该第二功函数金属层。

公开(公告)号：CN105244370A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201410421839.2

申请日：2014-08-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  童宇诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构与其制作方法，其金属栅极结构包含一基底，基底划分为一密集区域和一宽疏区域，一第一金属栅极结构设置于密集区域，第一金属栅极结构包含一第一沟槽设于密集区域，一第一金属层设于第一沟槽中，一第二金属栅极结构设置于宽疏区域，第二金属栅极结构包含一第二沟槽设于宽疏区域中以及一第二金属层设于第二沟槽中，其中第二金属层的高度较第一金属层的高度大。

公开(公告)号：CN115966466A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111185692.8

申请日：2021-10-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张明华 ,  廖琨垣 ,  郭龙恩 ,  叶治东

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/308 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管的制作方法包含提供一基底，接着形成一沟道层、一主动层、一P型III‑V族化合物材料层、一金属化合物材料层、一硬掩模材料层和一图案化光致抗蚀剂层覆盖基底，然后进行一干蚀刻制作工艺包含以图案化光致抗蚀剂层为掩模，干蚀刻硬掩模材料层和金属化合物材料层以形成一硬掩模层和一金属化合物层，其中在干蚀刻制作工艺时所产生的副产物形成一间隙壁环绕图案化光致抗蚀剂、硬掩模层和金属化合物层，在干蚀刻制作工艺后，以间隙壁和图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻P型III‑V族化合物材料层。

公开(公告)号：CN105280486B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201410351939.2

申请日：2014-07-23

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林静龄 ,  黄志森 ,  邹世芳 ,  林建廷 ,  陈意维 ,  林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  周孝邦 ,  吕佳霖

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构的制作方法，包括首先提供基底，基底上设置有介电层，第一沟槽和第二沟槽设置介电层中，第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后，形成掩模层，以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下，进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。

公开(公告)号：CN105244370B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201410421839.2

申请日：2014-08-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  童宇诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构与其制作方法，其金属栅极结构包含一基底，基底划分为一密集区域和一宽疏区域，一第一金属栅极结构设置于密集区域，第一金属栅极结构包含一第一沟槽设于密集区域，一第一金属层设于第一沟槽中，一第二金属栅极结构设置于宽疏区域，第二金属栅极结构包含一第二沟槽设于宽疏区域中以及一第二金属层设于第二沟槽中，其中第二金属层的高度较第一金属层的高度大。