公开(公告)号：CN105280486A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410351939.2

申请日：2014-07-23

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林静龄 ,  黄志森 ,  邹世芳 ,  林建廷 ,  陈意维 ,  林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  周孝邦 ,  吕佳霖

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构的制作方法，包括首先提供基底，基底上设置有介电层，第一沟槽和第二沟槽设置介电层中，第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后，形成掩模层，以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下，进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。

公开(公告)号：CN105244370A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201410421839.2

申请日：2014-08-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  童宇诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构与其制作方法，其金属栅极结构包含一基底，基底划分为一密集区域和一宽疏区域，一第一金属栅极结构设置于密集区域，第一金属栅极结构包含一第一沟槽设于密集区域，一第一金属层设于第一沟槽中，一第二金属栅极结构设置于宽疏区域，第二金属栅极结构包含一第二沟槽设于宽疏区域中以及一第二金属层设于第二沟槽中，其中第二金属层的高度较第一金属层的高度大。

公开(公告)号：CN105280486B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201410351939.2

申请日：2014-07-23

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林静龄 ,  黄志森 ,  邹世芳 ,  林建廷 ,  陈意维 ,  林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  周孝邦 ,  吕佳霖

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构的制作方法，包括首先提供基底，基底上设置有介电层，第一沟槽和第二沟槽设置介电层中，第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后，形成掩模层，以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下，进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。

公开(公告)号：CN105244370B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201410421839.2

申请日：2014-08-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林世雄 ,  陈俊隆 ,  廖琨垣 ,  张峰溢 ,  童宇诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种金属栅极结构与其制作方法，其金属栅极结构包含一基底，基底划分为一密集区域和一宽疏区域，一第一金属栅极结构设置于密集区域，第一金属栅极结构包含一第一沟槽设于密集区域，一第一金属层设于第一沟槽中，一第二金属栅极结构设置于宽疏区域，第二金属栅极结构包含一第二沟槽设于宽疏区域中以及一第二金属层设于第二沟槽中，其中第二金属层的高度较第一金属层的高度大。