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公开(公告)号：CN103936641B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310757482.0
申请日：2013-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C303/32 , C08G83/00 , G03F7/004 , G03F7/00
摘要： 树枝状化合物，光刻胶组合物和制备电子设备的方法。提供一种树枝状化合物，所述树枝状化合物包括：含有包括阴离子基团和连接基团的焦点的树枝状阴离子；以及光活性阳离子。
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公开(公告)号：CN104788598A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410858453.8
申请日：2014-12-31
申请人： 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C08F212/08 , C08F220/30 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F212/12 , C08L25/14 , C08L33/12 , C08L33/10 , C08L25/16
CPC分类号： C08F212/08 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/30 , C08F12/32 , C08F212/12 , C09D125/14 , C09D125/16 , C09D133/06 , C08F212/32 , C08F2220/302
摘要： 一种可交联聚合物，其包括具有以下通式(I-A)或(I-B)的第一单元：其中：P是可聚合官能团；L是单键或m+1价连接基团；X1是单价供电子基团；X2是二价供电子基团；Ar1和Ar2分别为三价和二价芳基，且环丁烯的环碳原子与Ar1或Ar2的相同芳环上的邻近碳原子键合；m和n均是1以上的整数；且每个R1是独立的单价基团；和选自通式(III)和(IV)的第二单元：其中R7选自氢、氟、C1-C3烷基、和C1-C3氟烷基，R8选自任选地取代的C1到C10烷基，和Ar3为任选地取代的芳基。底层组合物包括所述可交联聚合物和溶剂。可交联聚合物和底层组合物被发现特别适用于形成高分辨率图案的半导体装置和数据存储装置的制备。
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公开(公告)号：CN103091978B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210597633.6
申请日：2012-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元：
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公开(公告)号：CN103091978A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210597633.6
申请日：2012-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。其包含以下通式(I)的单元：
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公开(公告)号：CN102617790B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110463318.X
申请日：2011-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： C08F220/32 , C08F222/14 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/2041 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要： 聚合物，光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法。提供包含具有特定乙缩醛部分的单元的聚合物和包含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物。同样提供光致抗蚀剂组合物涂覆的基体和形成光刻图案的方法。提供了一种聚合物，所述聚合物包括：由下述通式(I)单体形成的第一单元：其中R1代表氢或C1到C3烷基；R2代表单键或C1到C10有机基团；R3代表氢原子或C1到C10有机基团；R4各自独立的代表氢原子或C1到C10有机基团，键合在共有碳原子上的R4基团任选一起形成环；以及R5各自独立代表C1到C10有机基团，任选一起形成环；以及含有内酯部分的第二单元。
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公开(公告)号：CN102653576B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110463056.7
申请日：2011-12-02
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： C08F220/32 , C08F222/14 , C08F220/28 , C08F220/18 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C08F2220/285 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 本发明涉及聚合物，光致抗蚀剂组合物和光刻图案的形成方法。提供了用于形成光刻图案的聚合物和光致抗蚀剂组合物。还提供了以光致抗蚀剂组合物涂敷的基底和形成光刻图案的方法。所述组合物，方法和涂敷基底在半导体装置的制备中具有特殊的应用。
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公开(公告)号：CN102445848A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110430673.7
申请日：2011-09-13
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 本发明提供用于通过负型显影工艺形成光刻图案的光刻胶组合物，还提供通过负型显影工艺形成光刻图案的方法和由上述光刻胶组合物涂覆的基底.上述组合物、方法以及涂覆的基底在制造半导体器件中有特别的应用。
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公开(公告)号：CN103121951A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210597635.5
申请日：2012-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C67/11 , C07C69/67 , G03F7/09 , C08F220/32 , C08F220/28 , C08F220/18 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/0041 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 单体，聚合物和光致抗蚀剂组合物。提供了一种以下通式(I)的单体，其中：R1表示氢或甲基
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公开(公告)号：CN105732884B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610120335.6
申请日：2013-09-23
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C08F220/18 , C08F230/04 , C08F220/10 , C08F30/04 , C08F20/06 , H01L21/027 , G03F7/16 , G03F1/00 , G03F7/004 , G03F7/038
CPC分类号： C08F220/10 , C08F220/18 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要： 提供了适用于旋涂金属硬掩模的包含某些有机金属低聚物的组合物，其中该组合物可以被改变组成以提供具有一系列刻蚀选择性的金属氧化物硬掩模。还提供了使用本发明的组合物沉积金属氧化物硬掩模的方法。
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公开(公告)号：CN104749905B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410858452.3
申请日：2014-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01L21/02255 , C08F12/32 , C08F212/08 , C08F212/12 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/302 , C09D125/08 , C09D125/16 , G03F7/00 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/311 , C08F2220/301
摘要： 一种通过定向自组装形成图案的方法，包括：(a)提供半导体基材，其包括一个或多个将被图案化的层；(b)在一个或多个将被图案化的层上施加可交联的底层组合物以形成可交联底层，其中所述可交联的底层组合物包括可交联聚合物，其包括具有以下通式(I‑A)或(I‑B)的第一单元：其中：P是可聚合官能团；L是单键或m+1价连接基团；X1是单价供电子基团；X2是二价供电子基团；Ar1和Ar2分别为三价和二价芳基，且环丁烯的环碳原子与Ar1或Ar2的相同芳环上的邻近碳原子键合；m和n均为1以上的整数；且每个R1是独立的单价基团；(c)加热可交联底层以形成交联的底层；(d)在交联的底层上形成包括嵌段共聚物的自组装层；和(e)将自组装层退火。所述方法和组合物被发现特别适用于形成高分辨率图案的半导体装置和数据存储装置的制备。
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