公开(公告)号：CN105304550B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201410858450.4

申请日：2014-12-23

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司 ,  罗门哈斯电子材料韩国有限公司

发明人： 沈载桓 ,  朴琎洪 ,  林载峰 ,  赵廷奎 ,  徐承柏 ,  朴钟根 ,  李明琦 ,  P·D·胡斯塔德

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/31058

摘要： 间隙填充方法。提供了一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，该半导体衬底具有在所述衬底的表面上的浮雕图像，该浮雕图像包括多个待填充间隙；(b)将间隙填充组合物涂覆到该浮雕图像上，其中该间隙填充组合物包含未交联的可交联聚合物、酸催化剂、交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包括以下通式(I)的第一单元以及以下通式(II)的第二单元；(c)加热该间隙填充组合物到使聚合物交联的温度。

公开(公告)号：CN104231514B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410288684.X

申请日：2014-06-24

申请人： 陶氏环球技术有限公司 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： R·夏尔马 ,  P·D·胡斯塔德 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  D·王 ,  李明琦 ,  J·J·张

IPC分类号： C08L53/00 ,  C08L33/12 ,  C08L33/14

CPC分类号： C09D153/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08G77/442 ,  C08L53/00 ,  C08L83/10 ,  G03F7/0002 ,  C08L33/12

摘要： 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。

公开(公告)号：CN104231514A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410288684.X

申请日：2014-06-24

申请人： 陶氏环球技术有限公司 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： R·夏尔马 ,  P·D·胡斯塔德 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  D·王 ,  李明琦 ,  J·J·张

IPC分类号： C08L53/00 ,  C08L33/12 ,  C08L33/14

CPC分类号： C09D153/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08G77/442 ,  C08L53/00 ,  C08L83/10 ,  G03F7/0002 ,  C08L33/12

摘要： 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。

公开(公告)号：CN103186046A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210586171.8

申请日：2012-12-28

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： E·阿恰达 ,  C-B·徐 ,  李明琦 ,  W·威廉姆斯

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  C07D493/18 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07C381/12

CPC分类号： C07D493/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0392

摘要： 一种光致生酸剂，包括式(I)所示的化合物：其中，式(I)中各Ra独立地是H、F、C1-10非氟化有机基团、C1-10氟化有机基团，或包括至少一种上述基团的组合，前提是至少一个Ra是F或C1-10氟化有机基团，所述C1-10氟化和非氟化有机基团各自任选地包含O,S,N或包括至少一种上述杂原子的组合；L1是连接基团，所述连接基团包含包括O,S,N,F的杂原子或者包括至少一种上述杂原子的组合；G+是式(II)的鎓盐：其中在式(II)中，X是S或I，各R0独立地是C1-30烷基，多环或单环C3-30环烷基，多环或单环C4-30芳基，或包括至少一种上述基团的组合，前提是各R0是C6单环芳基时至少一个R0是被取代的，其中当X是I时，a是2，X是S时,a是3，p是0或1，q是1-10的整数。

公开(公告)号：CN102799068A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210264011.1

申请日：2012-05-28

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： 李明琦 ,  E·阿恰达 ,  刘骢 ,  陈庆隆 ,  山田晋太郎 ,  C-B·徐 ,  J·玛蒂亚

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397

摘要： 一种光刻胶组合物包含酸敏感聚合物，和具有如下通式的环状锍化合物：(Ra)1-(Ar)-S+(-CH2-)m·-O3S-(CRb2)n-(L)p-X其中每个Ra独立地为取代或未取代的C1-30烷基，C6-30芳基，C7-30芳烷基，或包含前述至少一种的组合，Ar是单环，多环，或稠合多环C6-30芳基，每个Rb独立地为H，F，直链或支链的C1-10氟烷基，或直链或支链的含有杂原子的C1-10氟烷基，L是C1-30的连接基团，任选包含杂原子，所述杂原子包含O，S，N，F，或包含至少一种前述杂原子的组合，X是取代或未取代的C5或更大的单环，多环或稠合多环脂环基团，任选包含杂原子，所述杂原子包含O，S，N，F，或包含前述至少一种的组合，并且1是0到4的整数，m是3到20的整数，n是0到4的整数，且p是0到2的整数。

公开(公告)号：CN102621806A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110462560.5

申请日：2011-11-15

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： E·阿恰达 ,  李明琦 ,  C-B·徐 ,  刘骢

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D313/10 ,  C07C381/12 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D493/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

摘要： 内酯类光致酸发生剂和树脂以及包含其的光致抗蚀剂。提供新型包含内酯的光致酸发生剂化合物(“PAGs”)和包含该PAG化合物光致抗蚀剂组合物。这些光致抗蚀剂组合物可应用于电子设备的生产。提供一种下式表示光致酸发生剂化合物，其中每个R相同或不同，为氢和非氢取代基；Y是连接基团；每个Rf独立地选自氢、氟、和氟代(C1-C10)烷基；M是阳离子；n是0到6的整数；以及m是1到10的整数。

公开(公告)号：CN104701238B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201410858332.3

申请日：2014-11-14

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： 朴钟根 ,  徐承柏 ,  P·D·胡斯塔德 ,  李明琦

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 间隙填充方法。提供了间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案，起伏图案包括将被填充的多个间隙；(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物，其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂，其中可自交联聚合物包括第一单元，该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团；以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。

公开(公告)号：CN107459726A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710264644.5

申请日：2014-06-24

申请人： 陶氏环球技术有限公司 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： R·夏尔马 ,  P·D·胡斯塔德 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  D·王 ,  李明琦 ,  J·J·张

IPC分类号： C08L25/08 ,  C08L53/00 ,  C08F293/00 ,  C08F220/22 ,  C08F212/08 ,  C08F226/06 ,  C09D125/08 ,  C09D153/00

摘要： 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。

公开(公告)号：CN103936641B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310757482.0

申请日：2013-12-31

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： E·阿恰达 ,  C-B·徐 ,  I·考尔 ,  李明琦 ,  孙纪斌 ,  C·安德斯

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/12 ,  C07C303/32 ,  C08G83/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

摘要： 树枝状化合物，光刻胶组合物和制备电子设备的方法。提供一种树枝状化合物，所述树枝状化合物包括：含有包括阴离子基团和连接基团的焦点的树枝状阴离子；以及光活性阳离子。

公开(公告)号：CN104701238A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410858332.3

申请日：2014-11-14

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

发明人： 朴钟根 ,  徐承柏 ,  P·D·胡斯塔德 ,  李明琦

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 间隙填充方法。提供了间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案，起伏图案包括将被填充的多个间隙；(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物，其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂，其中可自交联聚合物包括第一单元，该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团；以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。