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公开(公告)号：CN103936641A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310757482.0
申请日：2013-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C303/32 , C08G83/00 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/004 , C07C303/32 , C07C2603/26 , G03F7/0042 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要： 树枝状化合物，光刻胶组合物和制备电子设备的方法。提供一种树枝状化合物，所述树枝状化合物包括：含有包括阴离子基团和连接基团的焦点的树枝状阴离子；以及光活性阳离子。
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公开(公告)号：CN105022224A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410858501.3
申请日：2014-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
摘要： 一种制造电子设备的方法，依次包括以下步骤：(a)提供包括一个或多个要图案化的层的半导体基材；(b)在所述一个或多个要图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层由包括以下组分的组合物制成：包括具有酸不稳定基团的单元的基体聚合物；光致酸产生剂；和有机溶剂；(c)在光致抗蚀剂层上涂覆光致抗蚀剂保护层组合物，其中保护层组合物包括淬灭聚合物和有机溶剂，其中所述淬灭聚合物包括含碱性部分的单元，其有效中和了在光致抗蚀剂层的表面区域内由光致酸产生剂产生的酸；(d)将光致抗蚀剂层曝光于活化辐射下；(e)在曝光后烘烤工艺中加热基材；和(f)将曝光的膜用有机溶剂显影剂显影。所述方法特别适用于半导体制造工艺。
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公开(公告)号：CN103936641B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310757482.0
申请日：2013-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C303/32 , C08G83/00 , G03F7/004 , G03F7/00
摘要： 树枝状化合物，光刻胶组合物和制备电子设备的方法。提供一种树枝状化合物，所述树枝状化合物包括：含有包括阴离子基团和连接基团的焦点的树枝状阴离子；以及光活性阳离子。
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公开(公告)号：CN103091978B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210597633.6
申请日：2012-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物，其包含以下通式(I)的单元：
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公开(公告)号：CN103091978A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210597633.6
申请日：2012-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： 通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。其包含以下通式(I)的单元：
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公开(公告)号：CN103576458B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201310491354.6
申请日：2013-07-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/0392 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要： 光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元，其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1‑C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自‑O‑、‑S‑和‑COO‑的连接结构部分；和n是0‑5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳定基团且其中第二聚合物具有比第一聚合物低的表面能；光酸产生剂；和溶剂。
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公开(公告)号：CN103121951A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210597635.5
申请日：2012-11-05
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C67/11 , C07C69/67 , G03F7/09 , C08F220/32 , C08F220/28 , C08F220/18 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/0041 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 单体，聚合物和光致抗蚀剂组合物。提供了一种以下通式(I)的单体，其中：R1表示氢或甲基
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公开(公告)号：CN105005179A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410858497.0
申请日：2014-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： G03F7/11
摘要： 一种光致抗蚀剂保护层组合物包括：淬灭聚合物，其中所述淬灭聚合物包括：含碱性部分的第一单元；和由以下通式(I)表示的单体形成的第二单元：其中：R1选自氢和取代或未取代的C1-C3烷基；R2选自取代或未取代的C1-C15烷基；X为氧、硫或由通式NR3表示，其中R3选自氢和取代和未取代的C1-C10烷基；且Z为单键或间隔单元，其选自任选取代的脂肪族和芳香族烃，和它们的组合，任选的带有一个或多个选自-O-、-S-、-COO-和-CONR4-的连接部分，其中R4选自氢和取代和未取代的C1-C10烷基；和有机溶剂；其中所述淬灭聚合物在组合物中以80-100wt％的量存在，以所述保护层组合物的固体总量计。所述组合物特别适用于半导体制造工业中负性显影(NTD)光刻工艺。
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公开(公告)号：CN103576458A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310491354.6
申请日：2013-07-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/0392 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要： 光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。一种光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；第二聚合物，所述第二聚合物包含：由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元，其中：P是可聚合的官能团；R1选自取代和未取代的C1-C20线性、支化和环状烃；Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元，任选具有一个或多个选自-O-、-S-和-COO-的连接结构部分；和n是0-5的整数；以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元，其中第一单体和第二单体不相同；其中第二聚合物不含酸不稳定基团且其中第二聚合物具有比第一聚合物低的表面能；光酸产生剂；和溶剂。
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