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公开(公告)号：CN105255246B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201410858474.X
申请日：2014-12-29
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C09D201/00 , C08F220/10 , C08K5/05 , C08K5/101 , C08L101/12 , C09D7/20 , C09D133/14 , C09D133/16 , C09D201/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/32 , H01L21/0271
摘要： 本发明提供的面漆组合物可以用于沉浸式光刻中以形成光抗蚀剂图形。所述面漆组合物包括溶剂系统，该溶剂系统包含1)由化学式(I)表示的第一有机溶剂，其中R1和R2为3‑8个碳的烷基并且R1和R2的碳的总数目大于6；以及2)第二有机溶剂，所述第二有机溶剂是C4至C10一羟基醇。
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公开(公告)号：CN108586304A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810678536.7
申请日：2013-10-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C303/32 , G03F7/004
摘要： 本发明涉及光致生酸化合物和包含它的光致抗蚀剂组合物，包含光致抗蚀剂的涂覆制品及其制造方法。本发明涉及一种式(I)的化合物：其中，a、x、X1、Y、Ar、R1和Z-如本文所定义。所述光致生酸剂化合物可用作光致抗蚀剂组合物的组分，其进而可用于制造制品的光刻方法。
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公开(公告)号：CN106831507A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710070871.4
申请日：2012-09-28
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C309/65 , C07C311/09 , C07D493/18 , C07D313/10 , C07D327/04 , C07C381/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/30 , C07C309/65 , C07C311/09 , C07C2603/74 , C07D313/08 , C07D313/10 , C07D327/04 , C07D493/18 , C07D497/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： 具有式(Ⅰ)所示结构的光酸产生剂化合物：[A‑(CHR1)p]k–(L)‑(CH2)m‑(C(R2)2)n‑SO3‑Z+(I)其中A是任选地包含O、S、N、F或包含上述至少一种的组合的取代或未取代的单环、多环或稠合多环的C5或者更大的脂环族基团，R1是H、单键、或取代或未取代的C1‑30烷基，其中当R1是单键时，R1是以共价键的方式与A的一个碳原子键合，每个R2独立地是H、F、或C1‑4氟烷基，其中至少一个R2不是氢，L是包括磺酸盐/酯基团、磺酰胺基团、或C1‑30的含有磺酸盐/酯或磺酰胺基团的连接基团，Z是有机或无机阳离子，p是0到10的整数，k是1或2，m是0或更大的整数，n是1或更大的整数。本发明还公开了光酸产生剂的前体化合物、包含所述光酸产生剂的光刻胶组合物，和涂覆有所述光刻胶组合物的基材。
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公开(公告)号：CN104130172B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410333321.3
申请日：2010-12-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C381/12 , C07D307/93 , C07D519/00 , C07J31/00 , C07D333/46 , C07C317/44 , G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/17 , C07C311/48 , C07C313/04 , C07C321/28 , C07C381/12 , C07C2603/74 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/162 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/322
摘要： 本发明提供一种磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶。提供了一种如下式Ⅰ所示的光酸产生剂化合物，其中W,Y相互独立地为氢、氟、任选取代的氟烷基；任选取代的氟烷氧基；或任选取代的氟代碳环芳基；W’,Y’相互独立地为与W，Y相同基团；W”,Y”相互独立地为与W，Y相同基团；n,n’和n”各自相同或不同，并且分别为正整数；U，U’和U”各自相同或不同，并且分别为连接基团；R,R’和R”各自相同或不同，并且分别为任选取代的碳脂环基团，任选取代的杂脂环基团，任选取代的碳环芳基，或任选取代的杂芳香族基团；X+是反离子。
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公开(公告)号：CN102799068B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210264011.1
申请日：2012-05-28
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要： 一种光刻胶组合物包含酸敏感聚合物，和具有如下通式的环状锍化合物：(Ra)1-(Ar)-S+(-CH2-)m·-O3S-(CRb2)n-(L)p-X其中每个Ra独立地为取代或未取代的C1-30烷基，C6-30芳基，C7-30芳烷基，或包含前述至少一种的组合，Ar是单环，多环，或稠合多环C6-30芳基，每个Rb独立地为H，F，直链或支链的C1-10氟烷基，或直链或支链的含有杂原子的C1-10氟烷基，L是C1-30的连接基团，任选包含杂原子，所述杂原子包含O，S，N，F，或包含至少一种前述杂原子的组合，X是取代或未取代的C5或更大的单环，多环或稠合多环脂环基团，任选包含杂原子，所述杂原子包含O，S，N，F，或包含前述至少一种的组合，并且1是0到4的整数，m是3到20的整数，n是0到4的整数，且p是0到2的整数。
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公开(公告)号：CN102225924B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201010625286.4
申请日：2010-12-10
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07D333/46 , C07D493/18 , C07C309/12 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07J31/00 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C303/32 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C321/30 , C07C381/12 , C07C2603/74 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D337/04 , C07D493/20 , C07J31/006 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要： 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂。本发明提供光酸发生剂化合物(“PAGs”)新的合成方法，新的光酸发生剂化合物以及包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。一个特别的方面，提供含锍(S+)光酸发生剂以及锍类光酸发生剂的合成方法。提供了一种含锍化合物的制备方法，所述制备方法包括环合烷基硫代化合物。
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公开(公告)号：CN104130172A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410333321.3
申请日：2010-12-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C07C381/12 , C07D307/93 , C07D519/00 , C07J31/00 , C07D333/46 , C07C317/44 , G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/17 , C07C311/48 , C07C313/04 , C07C321/28 , C07C381/12 , C07C2603/74 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/162 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/322
摘要： 本发明提供一种磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶。提供了一种如下式Ⅰ所示的光酸产生剂化合物，其中W,Y相互独立地为氢、氟、任选取代的氟烷基；任选取代的氟烷氧基；或任选取代的氟代碳环芳基；W’,Y’相互独立地为与W，Y相同基团；W”,Y”相互独立地为与W，Y相同基团；n,n’和n”各自相同或不同，并且分别为正整数；U，U’和U”各自相同或不同，并且分别为连接基团；R,R’和R”各自相同或不同，并且分别为任选取代的碳脂环基团，任选取代的杂脂环基团，任选取代的碳环芳基，或任选取代的杂芳香族基团；X+是反离子。
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公开(公告)号：CN102540703B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201110462163.8
申请日：2011-11-15
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要： 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺。一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
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公开(公告)号：CN102796221B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210243288.6
申请日：2012-05-28
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/34 , C08F220/28 , C08F220/16 , C08F220/36 , C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/09
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/32 , C08F220/34 , C08F220/36 , C08F220/38 , C08F220/58 , C08F226/06 , C08F2220/1833 , C08F2220/283 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/09 , G03F7/2041
摘要： 本发明涉及表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物。一种聚合物，包含单体聚合的产物，所述单体包括：含有式(Ia)、式(Ib)或式(Ia)和(Ib)组合的含氮单体，和具有式(II)的可酸去保护单体：其中：a是0或1；每个Ra独立的是H、F、C1-C10烷基或者C1-C10氟化烷基，L1是直链或支链C1-C20亚烷基、或者单环、多环、或者稠合多环C3-C20亚环烷基，每个Rb独立的是H、C1-C10烷基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、脂肪族C5-C20氧基羰基或者任选包括杂原子取代基的C1-C30酰基基团，其中每个Rb是独立的，或者至少一个Rb与相邻的Rb相连；LN是含氮的单环、多环、或者稠合多环C3-C20亚杂环烷基；X是H、C1-C10烷基、脂肪族C5-C20氧基羰基或任选包括杂原子取代基的C1-C30酰基基团；每个Rc独立的是C1-C10烷基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基，其中每个Rc是独立的或者至少一个Rc与相邻的Rc相连。
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公开(公告)号：CN103913946A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310757477.X
申请日：2013-12-31
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0397
摘要： 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。
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