间隙填充方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104701238B

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201410858332.3

    申请日:2014-11-14

    IPC分类号: H01L21/762

    摘要: 间隙填充方法。提供了间隙填充方法,所述方法包括:(a)提供半导体衬底,所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案,起伏图案包括将被填充的多个间隙;(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物,其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂,其中可自交联聚合物包括第一单元,该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团;以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。

    底层组合物和成像底层组合物的方法

    公开(公告)号:CN102566261B

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201110462290.8

    申请日:2011-09-30

    IPC分类号: G03F7/00 G03F7/09 G03F7/039

    摘要: 一种形成图案的方法,包括照射包括酸敏共聚物和光酸产生剂的底层的一部分,该酸敏共聚物包括酸可分解基团、连接基团和官能团,该连接基团共价键合到基材的亲水表面,交联形成共聚物交联,或者既被共价键合到基材的表面,又交联形成共聚物交联,其中该酸可分解基团与由底层的被照射区域中的光酸产生剂所产生的酸发生反应,以在底层的表面上形成极性区域,该极性区域具有图案的形状和尺寸,在该底层的表面上形成自组装层,该自组装层包括嵌段共聚物,该嵌段聚合物包括对该极性区域具有亲和性的第一嵌段和对该极性区域具有比第一嵌段小的亲和性的第二嵌段,其中该第一嵌段形成了对齐该极性区域的第一微区,并且该第二嵌段形成了邻近对齐该第一微区的第二微区,和移除该第一或第二微区以暴露出该底层的下层部分。

    间隙填充方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104701238A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201410858332.3

    申请日:2014-11-14

    IPC分类号: H01L21/762

    摘要: 间隙填充方法。提供了间隙填充方法,所述方法包括:(a)提供半导体衬底,所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案,起伏图案包括将被填充的多个间隙;(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物,其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂,其中可自交联聚合物包括第一单元,该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团;以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。