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公开(公告)号：CN103588939B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310180431.6
申请日：2013-05-15
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司 , 明尼苏达大学董事会
IPC分类号： C08F293/00
CPC分类号： C08F299/0407 , C08F297/026 , C08F299/04 , G03F7/0002 , C08F220/14 , C08F212/14
摘要： 本文中公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含来源于乙烯基芳香族单体的第一嵌段和来源于丙烯酸酯单体的第二嵌段；其中在240℃下测量时，测量第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的χ参数为大于或等于大约0.05。本文中还公开了一种方法，该方法包括：使乙烯基芳香族单体发生聚合而形成第一嵌段；以及使第二嵌段聚合到第一嵌段上以形成嵌段共聚物；其中第二嵌段是通过使丙烯酸酯单体发生聚合而得到；并且其中该嵌段共聚物在240℃下测量时具有大于或等于约0.05的χ参数；其中χ参数是第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的度量。
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公开(公告)号：CN103588939A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310180431.6
申请日：2013-05-15
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司 , 明尼苏达大学董事会
IPC分类号： C08F293/00
CPC分类号： C08F299/0407 , C08F297/026 , C08F299/04 , G03F7/0002 , C08F220/14 , C08F212/14
摘要： 本文中公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含来源于乙烯基芳香族单体的第一嵌段和来源于丙烯酸酯单体的第二嵌段；其中在240℃下测量时，测量第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的χ参数为大于或等于大约0.05。本文中还公开了一种方法，该方法包括：使乙烯基芳香族单体发生聚合而形成第一嵌段；以及使第二嵌段聚合到第一嵌段上以形成嵌段共聚物；其中第二嵌段是通过使丙烯酸酯单体发生聚合而得到；并且其中该嵌段共聚物在240℃下测量时具有大于或等于约0.05的χ参数；其中χ参数是第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的度量。
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公开(公告)号：CN104231192A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410235367.1
申请日：2014-05-29
申请人： 明尼苏达大学董事会 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： C08F293/00
摘要： 本文公开了一种包括衍生自环烷基乙烯基单体、氢化乙烯基芳族聚合物或氢化乙烯基吡啶聚合物的第一嵌段；以及衍生自丙烯酸酯单体的第二嵌段的嵌段共聚物。本文也公开了包括将衍生自环烷基乙烯基单体、氢化乙烯基芳族聚合物或氢化乙烯基吡啶聚合物的第一嵌段与引发剂反应以形成大分子引发剂；并且将第二嵌段聚合到第一嵌段上以形成嵌段共聚物；其中第二嵌段通过聚合丙烯酸酯单体得到；并且其中当在200℃-210℃的温度下测量时，嵌段共聚物具有大于或等于约0.05的χ参数；其中χ参数是共聚物的第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的度量。
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公开(公告)号：CN105304550A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410858450.4
申请日：2014-12-23
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/31058
摘要： 间隙填充方法。提供了一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，该半导体衬底具有在所述衬底的表面上的浮雕图像，该浮雕图像包括多个待填充间隙；(b)将间隙填充组合物涂覆到该浮雕图像上，其中该间隙填充组合物包含未交联的可交联聚合物、酸催化剂、交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包括以下通式(I)的第一单元以及以下通式(II)的第二单元；(c)加热该间隙填充组合物到使聚合物交联的温度。
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公开(公告)号：CN104749876A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410858491.3
申请日：2014-12-30
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , C08F220/14 , C08F220/30 , C08F120/18 , H01L21/027
摘要： 这里公开了一种方法，包括在半导体基底的表面上设置垫组合物；其中所述垫组合物包括包含第一丙烯酸酯单元和第二单元的无规共聚物；其中所述共聚物不包括聚苯乙烯或聚环氧化物；交联所述无规共聚物；将刷状回填组合物设置在所述基底上；以使所述刷状回填组合物和所述垫组合物相互交替；在所述刷状回填组合物和所述垫组合物上设置经历自组装的嵌段共聚物；并且蚀刻所述嵌段共聚物以在所述半导体基底中生成均匀间隔的沟道。
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公开(公告)号：CN104701238B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201410858332.3
申请日：2014-11-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 间隙填充方法。提供了间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案，起伏图案包括将被填充的多个间隙；(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物，其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂，其中可自交联聚合物包括第一单元，该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团；以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。
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公开(公告)号：CN107459726A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710264644.5
申请日：2014-06-24
申请人： 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C08L25/08 , C08L53/00 , C08F293/00 , C08F220/22 , C08F212/08 , C08F226/06 , C09D125/08 , C09D153/00
摘要： 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。
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公开(公告)号：CN102566261B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201110462290.8
申请日：2011-09-30
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC分类号： G03F7/0388 , G03F7/0392 , G03F7/162 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/40
摘要： 一种形成图案的方法，包括照射包括酸敏共聚物和光酸产生剂的底层的一部分，该酸敏共聚物包括酸可分解基团、连接基团和官能团，该连接基团共价键合到基材的亲水表面，交联形成共聚物交联，或者既被共价键合到基材的表面，又交联形成共聚物交联，其中该酸可分解基团与由底层的被照射区域中的光酸产生剂所产生的酸发生反应，以在底层的表面上形成极性区域，该极性区域具有图案的形状和尺寸，在该底层的表面上形成自组装层，该自组装层包括嵌段共聚物，该嵌段聚合物包括对该极性区域具有亲和性的第一嵌段和对该极性区域具有比第一嵌段小的亲和性的第二嵌段，其中该第一嵌段形成了对齐该极性区域的第一微区，并且该第二嵌段形成了邻近对齐该第一微区的第二微区，和移除该第一或第二微区以暴露出该底层的下层部分。
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公开(公告)号：CN104788598A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410858453.8
申请日：2014-12-31
申请人： 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C08F212/08 , C08F220/30 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F212/12 , C08L25/14 , C08L33/12 , C08L33/10 , C08L25/16
CPC分类号： C08F212/08 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/30 , C08F12/32 , C08F212/12 , C09D125/14 , C09D125/16 , C09D133/06 , C08F212/32 , C08F2220/302
摘要： 一种可交联聚合物，其包括具有以下通式(I-A)或(I-B)的第一单元：其中：P是可聚合官能团；L是单键或m+1价连接基团；X1是单价供电子基团；X2是二价供电子基团；Ar1和Ar2分别为三价和二价芳基，且环丁烯的环碳原子与Ar1或Ar2的相同芳环上的邻近碳原子键合；m和n均是1以上的整数；且每个R1是独立的单价基团；和选自通式(III)和(IV)的第二单元：其中R7选自氢、氟、C1-C3烷基、和C1-C3氟烷基，R8选自任选地取代的C1到C10烷基，和Ar3为任选地取代的芳基。底层组合物包括所述可交联聚合物和溶剂。可交联聚合物和底层组合物被发现特别适用于形成高分辨率图案的半导体装置和数据存储装置的制备。
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公开(公告)号：CN104701238A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410858332.3
申请日：2014-11-14
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 间隙填充方法。提供了间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案，起伏图案包括将被填充的多个间隙；(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物，其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂，其中可自交联聚合物包括第一单元，该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团；以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。
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