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公开(公告)号：CN104749876B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201410858491.3
申请日：2014-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: G03F7/00 , C08F220/14 , C08F220/30 , C08F120/18 , H01L21/027
Abstract: 这里公开了一种方法，包括在半导体基底的表面上设置垫组合物；其中所述垫组合物包括包含第一丙烯酸酯单元和第二单元的无规共聚物；其中所述共聚物不包括聚苯乙烯或聚环氧化物；交联所述无规共聚物；将刷状回填组合物设置在所述基底上；以使所述刷状回填组合物和所述垫组合物相互交替；在所述刷状回填组合物和所述垫组合物上设置经历自组装的嵌段共聚物；并且蚀刻所述嵌段共聚物以在所述半导体基底中生成均匀间隔的沟道。
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公开(公告)号：CN104228292B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201410287062.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
Abstract: 本发明涉及取向控制层聚合物、其制备方法以及包含该聚合物的制品。本文公开了一种方法，该方法包括：在基材上设置含有第一嵌段共聚物的第一组合物；所述第一嵌段共聚物含有第一段和第二段，它们互相共价结合且它们在化学上彼此不相同；所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；在所述第一嵌段共聚物的一个自由表面上设置含有第二共聚物的第二组合物；所述第二共聚物含有表面自由能降低的部分；所述表面自由能降低的部分具有比所述第一表面自由能和所述第二表面自由能低的表面自由能；所述第二共聚物还包含一种或多种与所述第一嵌段共聚物有亲和性的部分；所述表面自由能降低的部分与所述第一段和所述第二段在化学上不同。
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公开(公告)号：CN104228292A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410287062.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: B32B43/00 , B05D1/185 , B05D7/52 , B32B27/08 , B32B2457/14 , C08F2438/03 , C08L53/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及取向控制层聚合物、其制备方法以及包含该聚合物的制品。本文公开了一种方法，该方法包括：在基材上设置含有第一嵌段共聚物的第一组合物；所述第一嵌段共聚物含有第一段和第二段，它们互相共价结合且它们在化学上彼此不相同；所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；在所述第一嵌段共聚物的一个自由表面上设置含有第二共聚物的第二组合物；所述第二共聚物含有表面自由能降低的部分；所述表面自由能降低的部分具有比所述第一表面自由能和所述第二表面自由能低的表面自由能；所述第二共聚物还包含一种或多种与所述第一嵌段共聚物有亲和性的部分；所述表面自由能降低的部分与所述第一段和所述第二段在化学上不同。
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公开(公告)号：CN107459726B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710264644.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08L25/08 , C08L53/00 , C08F293/00 , C08F220/22 , C08F212/08 , C08F226/06 , C09D125/08 , C09D153/00
Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。
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公开(公告)号：CN109920843A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811510188.9
申请日：2015-04-29
Applicant: 加利福尼亚大学董事会 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: H01L29/167 , H01L29/207 , H01L21/02 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/3105 , C09D153/00
Abstract: 本发明涉及通过含掺杂剂的聚合物膜对基材进行掺杂。本文所揭示的是用于掺杂基材的方法，该方法包括：在基材上布置组合物的涂层，所述组合物包含共聚物、掺杂剂前体和溶剂；其中，所述共聚物能够使得掺杂剂前体当在溶液中的时候发生相分离和嵌入；以及使得基材在750-1300℃的温度退火0.1秒至24小时，以使得掺杂剂扩散进入基材中。本文还揭示了包含直径为3-30纳米的嵌入的掺杂剂域的半导体基材；其中，所述域包含第13族或第15族原子，其中嵌入的球形域位于基材表面的30纳米内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105023833B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510215814.1
申请日：2015-04-29
Applicant: 加利福尼亚大学董事会 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: H01L21/228 , H01L21/324 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及通过含掺杂剂的聚合物膜对基材进行掺杂的方法。本文所揭示的是用于掺杂基材的方法，该方法包括：在基材上布置组合物的涂层，所述组合物包含共聚物、掺杂剂前体和溶剂；其中，所述共聚物能够使得掺杂剂前体当在溶液中的时候发生相分离和嵌入；以及使得基材在750‑1300℃的温度退火0.1秒至24小时，以使得掺杂剂扩散进入基材中。本文还揭示了包含直径为3‑30纳米的嵌入的掺杂剂域的半导体基材；其中，所述域包含第13族或第15族原子，其中嵌入的球形域位于基材表面的30纳米内。
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公开(公告)号：CN104231514B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410288684.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: C09D153/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C08G77/442 , C08L53/00 , C08L83/10 , G03F7/0002 , C08L33/12
Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。
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公开(公告)号：CN104231514A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410288684.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: C09D153/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C08G77/442 , C08L53/00 , C08L83/10 , G03F7/0002 , C08L33/12
Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。
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公开(公告)号：CN103588939A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310180431.6
申请日：2013-05-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司 , 明尼苏达大学董事会
IPC: C08F293/00
CPC classification number: C08F299/0407 , C08F297/026 , C08F299/04 , G03F7/0002 , C08F220/14 , C08F212/14
Abstract: 本文中公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含来源于乙烯基芳香族单体的第一嵌段和来源于丙烯酸酯单体的第二嵌段；其中在240℃下测量时，测量第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的χ参数为大于或等于大约0.05。本文中还公开了一种方法，该方法包括：使乙烯基芳香族单体发生聚合而形成第一嵌段；以及使第二嵌段聚合到第一嵌段上以形成嵌段共聚物；其中第二嵌段是通过使丙烯酸酯单体发生聚合而得到；并且其中该嵌段共聚物在240℃下测量时具有大于或等于约0.05的χ参数；其中χ参数是第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的度量。
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公开(公告)号：CN107459726A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710264644.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 陶氏环球技术有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C08L25/08 , C08L53/00 , C08F293/00 , C08F220/22 , C08F212/08 , C08F226/06 , C09D125/08 , C09D153/00
Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含第一段和第二段，所述第一段和第二段互相共价结合，而且在化学上互不相同；其中所述第一段具有第一表面自由能，所述第二段具有第二表面自由能；以及附加共聚物；所述附加共聚物包含表面自由能降低的部分，所述表面自由能降低的部分的表面自由能小于第一段和第二段的表面自由能；所述附加共聚物还包含一种或多种与嵌段共聚物有亲合性的部分；所述表面自由能降低的部分在化学上不同于所述第一段和第二段；所述附加共聚物不能与水混溶；所述附加共聚物未与所述嵌段共聚物共价结合。
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