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公开(公告)号：CN119488008A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380052110.X
申请日：2023-07-07
Applicant: 索泰克公司
IPC: H10N30/07 , H10N30/072 , H10N30/073 , H10N30/01 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于制造压电或半导体结构的方法，其包括以下连续步骤：(a)提供供体衬底(11)，其包括压电或半导体层(5)，(b)提供受体衬底(12)，(c)处理该供体衬底(11)的自由表面(7)和/或该受体衬底(12)的自由表面(9)，(d)将该供体衬底(11)结合至该受体衬底(12)，所述至少一个处理后的表面(7,9)在该供体衬底(11)与该受体衬底(12)之间的界面处，及(e)将该压电或半导体层(5)的一部分(3)从该供体衬底(11)转移到该受体衬底(12)，处理该供体衬底(11)的自由表面(7)和/或该受体衬底(12)的自由表面(9)包括以下连续步骤：(c1)化学机械抛光，(c2)从被抛光表面(7,9)的外围区域移除材料。
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公开(公告)号：CN110622296B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201880030548.7
申请日：2018-05-23
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特 , 佛雷德里克·阿利伯特 , E·德斯博内特 , J-P·拉斯金 , M·莱克
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于使在涂覆有电绝缘层(2,2b)的半导体衬底(1)上形成的射频电路(L)中传播的射频信号的谐波失真和/或互调失真最小化的方法，其中，表示所述失真随着输入或输出信号的功率而变化的曲线在给定功率(PDip)周围显示出波谷，所述方法的特征在于，其包括在所述射频电路(L)和所述半导体衬底(1)之间施加电势差(VGB)，所述电势差被选择为使所述波谷朝向所述射频电路的给定工作功率移动。
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公开(公告)号：CN107851552B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680041816.6
申请日：2016-07-13
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种衬底和用于制造衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底(10)，该支撑衬底具有在其面中的一个面上的沿第一方向的平行的第一多个沟槽(12)和沿第二方向的平行的第二多个沟槽(13)；(b)从施主衬底(30)向支撑衬底(10)转移有用层(31)，该有用层(31)具有第二热膨胀系数；制造方法的特征在于：在支撑衬底(10)的正面(11)与该有用层(31)之间插入中间层，该中间层(20)具有在第一热膨胀系数到第二热膨胀系数之间的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN106252280A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610391128.4
申请日：2016-06-03
Applicant: 索泰克公司
Abstract: 用于双层转移的机械分离的方法。本发明涉及一种用于机械地分离层的方法，特别是在双层转移工艺中。本发明更具体地涉及一种用于机械地分离层的方法，所述方法包括以下步骤：设置包括处理衬底的层(204)以及具有前主侧(209)和与所述前主侧(209)相反的后主侧(211)的有源层(202)的半导体复合体(206)，其中，处理衬底的层(204)被附接至有源层(202)的前主侧源层(202)的后主侧(211)上；以及然后，启动处理衬底的层(204)的机械分离，其中，处理衬底的层(204)和载体衬底的层(207)被设置有基本上对称的机械结构。(209)；然后将载体衬底的层(207)设置至所述有
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公开(公告)号：CN104412360B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380034211.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L22/12 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L2224/29124 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29176 , H01L2224/2918 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83895 , H01L2924/01014 , H01L2924/0504 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , Y10T428/12493 , Y10T428/12639 , Y10T428/12646 , Y10T428/12653 , Y10T428/12674
Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119631605A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380057120.2
申请日：2023-06-29
Applicant: 索泰克公司
IPC: H10N30/01 , H10N30/07 , H10N30/072 , H10N30/086 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本发明涉及一种制备由含锂铁电材料制成的单畴薄层(4)的方法。所述方法包括提供由含锂铁电材料制成的第一单畴层(8)，所述层结合到载体(2)，第一层(8)具有富锂表面厚度(11)。制备方法包括对第一层(8)的自由侧(9)进行湿法清洁的第一步骤，清洁步骤能够去除富锂表面层。然后方法包括旨在去除或防止出现富锂且富氢的枝晶(12)的第二制备步骤，当第一层(8)不含富锂表面层时，枝晶易于在第一层(8)的自由侧(9)成核。
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公开(公告)号：CN119422225A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049520.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于制造结构(1)的方法，该结构包括借助于介电层(3)接合到支撑体(2)上的薄层(4)，该支撑体包括布置在基础衬底(2a)的表面上的电荷俘获层(2b)。该方法包括对该支撑体的主面的暴露表面和/或对供体衬底的主面的暴露表面施加表面处理，以便在其上形成充当某些原子物质的扩散屏障的层。该表面处理包括将该暴露表面暴露于包含氧的等离子体，然后将该暴露表面暴露于包含氮的等离子体。
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公开(公告)号：CN111386600B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201980005951.9
申请日：2019-02-12
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及通过将层从供体基底转移到接受基底上来制造绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供供体基底和接受基底，b)在供体基底中形成脆化区，该脆化区界定要转移的层，c)在接受基底上接合供体基底，供体基底的关于要转移的层而与脆化区相反的表面处在接合界面处，d)将供体基底沿脆化区分离，使得层的转移能够转移到接受基底上，转移方法的特征在于，在接合步骤之前，转移方法包括以下步骤：受控地改变供体基底和/或接受基底的弯曲，以使基底至少在其外围的一个区域中彼此移开，供体基底和/或接受基底的旨在形成接合界面的一个面或两个面形变以具有大于或等于136μm的弯曲幅度(Bw)。
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公开(公告)号：CN109219896B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201780034366.2
申请日：2017-05-30
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(100)，该混合结构(100)包括压电材料的有用层(10)，该有用层(10)具有第一自由面(1)和设置在支撑衬底(20)上的第二面(2)，该支撑衬底(20)具有比所述有用层(10)的热膨胀系数低的热膨胀系数。所述混合结构(100)的特征在于所述有用层(10)包括纳米腔(31)的区域(30)。
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公开(公告)号：CN113597668A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080021426.9
申请日：2020-03-26
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底(1)，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底(2)；通过发起从界面的外围(11)的第一区域(13)开始的结合波(3)并且使该波朝向所述界面的外围(11)的与第一区域(13)相对的第二区域(14)传播，将供体衬底(1)结合至受体衬底(2)上，待转移层位于结合界面(10)的那一侧上，结合波(3)的传播速度在中心部分(12)中比在外围部分(11)中低；以及沿着弱化区分离供体衬底(1)以便将待转移层转移到受体衬底(2)上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面(10)的外围部分(11)与中心部分(12)之间的传播速度的差。
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