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公开(公告)号：CN107851552A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041816.6
申请日：2016-07-13
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明涉及一种用于制造衬底的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底(10)，该支撑衬底具有在其面中的一个面上的沿第一方向的平行的第一多个沟槽(12)和沿第二方向的平行的第二多个沟槽(13)；(b)从施主衬底(30)向支撑衬底(10)转移有用层(31)，该有用层(31)具有第二热膨胀系数；制造方法的特征在于：在支撑衬底(10)的正面(11)与该有用层(31)之间插入中间层，该中间层(20)具有在第一热膨胀系数到第二热膨胀系数之间的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN114512595A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210146142.3
申请日：2016-10-17
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/27
Abstract: 本发明涉及一种复合结构及相关制造方法，所述复合结构是包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN108475722A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079260.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC classification number: H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
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公开(公告)号：CN104396030B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380032574.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 帕斯卡·昆纳德
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/0543 , H01L31/055 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1844 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2924/3512 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及一种制造方法，该制造方法包括以下步骤：在第一基板(10)上形成各自包括至少一个p型层(20)、有源区域(18)和n型层(12)的多个基本LED或光生伏打结构；在所述多个基本结构上形成第一平面金属层(42)；提供包括第二平面金属层(46)的转印基板(50)；通过在室温下通过分子粘附结合所述第一金属层和第二金属层(42,46)来将所述多个基本结构与所述转印基板(50)组装在一起；以及去除所述第一基板(10)。
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公开(公告)号：CN104396033A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032606.7
申请日：2013-06-18
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 帕斯卡·昆纳德
CPC classification number: H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/075 , H01L31/1892 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括基本结构(150)的形成，每一个基本结构包括n型层(132)、有源层(133)和p型层(134)，所述方法包括以下步骤：-减少每一个基本LED结构(150)的一部分的横向尺寸；-在所述基本结构(150)的侧面上形成绝缘材料(139)的一部分；-形成n型电接触垫(145)和p型电接触垫(138)；-将导电材料层(141)沉积在所述基本结构(150)上并且对所述导电材料层(141)进行抛光；以及-通过分子粘附使第二基板(50)结合在所述结构(70)的已抛光表面(70a)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851552B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680041816.6
申请日：2016-07-13
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种衬底和用于制造衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底(10)，该支撑衬底具有在其面中的一个面上的沿第一方向的平行的第一多个沟槽(12)和沿第二方向的平行的第二多个沟槽(13)；(b)从施主衬底(30)向支撑衬底(10)转移有用层(31)，该有用层(31)具有第二热膨胀系数；制造方法的特征在于：在支撑衬底(10)的正面(11)与该有用层(31)之间插入中间层，该中间层(20)具有在第一热膨胀系数到第二热膨胀系数之间的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN104396033B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380032606.7
申请日：2013-06-18
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 帕斯卡·昆纳德
CPC classification number: H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/075 , H01L31/1892 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括基本结构(150)的形成，每一个基本结构包括n型层(132)、有源层(133)和p型层(134)，所述方法包括以下步骤：‑减少每一个基本LED结构(150)的一部分的横向尺寸；‑在所述基本结构(150)的侧面上形成绝缘材料(139)的一部分；‑形成n型电接触垫(145)和p型电接触垫(138)；‑将导电材料层(141)沉积在所述基本结构(150)上并且对所述导电材料层(141)进行抛光；以及‑通过分子粘附使第二基板(50)结合在所述结构(70)的已抛光表面(70a)上。
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公开(公告)号：CN108475722B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201680079260.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
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公开(公告)号：CN108271425A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201680065643.1
申请日：2016-10-17
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC classification number: H01L41/312 , H01L41/0805 , H03H9/02102 , H03H9/02574
Abstract: 本发明涉及一种包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。本发明还涉及用于制造复合结构(9)的方法。
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公开(公告)号：CN104396030A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032574.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 帕斯卡·昆纳德
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L31/02008 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/0543 , H01L31/055 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/1844 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2924/3512 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及一种制造方法，该制造方法包括以下步骤：在第一基板(10)上形成各自包括至少一个p型层(20)、有源区域(18)和n型层(12)的多个基本LED或光生伏打结构；在所述多个基本结构上形成第一平面金属层(42)；提供包括第二平面金属层(46)的转印基板(50)；通过在室温下通过分子粘附结合所述第一金属层和第二金属层(42,46)来将所述多个基本结构与所述转印基板(50)组装在一起；以及去除所述第一基板(10)。
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