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公开(公告)号：CN108496257A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780006874.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H03H9/02 , H01L41/312
CPC classification number: H01L41/312 , H01L41/0815 , H03H9/0009 , H03H9/02047 , H03H9/02574
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构体(10)，其包括与载体衬底(5)连接的压电材料的有用层(1)，所述载体衬底(5)的热膨胀系数低于所述有用层(1)的热膨胀系数；所述混合结构体(10)包括位于所述有用层(1)和所述载体衬底(5)之间的中间层(4)，所述中间层(4)是在所述中间层(4)的平面内具有多个周期性图案(6,7)的由至少两种不同材料形成的结构化层。
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公开(公告)号：CN103168342A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050082.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H05K1/18 , H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于射频或电力应用的电子器件，该电子器件包括：位于支承基板上用于支承电子元件的半导体层，其中，所述支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层（13、14）具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。本发明还涉及用于制造这种器件的两种工艺。
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公开(公告)号：CN110235238B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201880009739.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种用于射频应用的结构(100)，该结构(100)包括：高电阻率支撑衬底(1)，该衬底的前表面(1a)限定主平面；电荷俘获层(2)，该电荷俘获层(2)布置在所述支撑衬底(1)的所述前表面(1a)上；第一介电层(3)，该第一介电层(3)布置在所述俘获层(2)上；有源层(4)，该有源层(4)布置在所述第一介电层(3)上，所述结构(100)的特征在于，所述结构包括布置在所述俘获层(2)上方或内部的至少一个掩埋电极(10)，该电极(10)包括导电层(11)和第二介电层(13)。
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公开(公告)号：CN103168342B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180050082.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H05K1/18 , H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及一种用于射频或电力应用的电子器件，该电子器件包括：位于支承基板上用于支承电子元件的半导体层，其中，所述支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层（13、14）具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。本发明还涉及用于制造这种器件的两种工艺。
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公开(公告)号：CN114512595A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210146142.3
申请日：2016-10-17
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/27
Abstract: 本发明涉及一种复合结构及相关制造方法，所述复合结构是包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110235238A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009739.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种用于射频应用的结构(100)，该结构(100)包括：高电阻率支撑衬底(1)，该衬底的前表面(1a)限定主平面；电荷俘获层(2)，该电荷俘获层(2)布置在所述支撑衬底(1)的所述前表面(1a)上；第一介电层(3)，该第一介电层(3)布置在所述俘获层(2)上；有源层(4)，该有源层(4)布置在所述第一介电层(3)上，所述结构(100)的特征在于，所述结构包括布置在所述俘获层(2)上方或内部的至少一个掩埋电极(10)，该电极(10)包括导电层(11)和第二介电层(13)。
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公开(公告)号：CN108475722A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079260.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC classification number: H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
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公开(公告)号：CN108496257B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780006874.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H03H9/02 , H01L41/312
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构体(10)，其包括与载体衬底(5)连接的压电材料的有用层(1)，所述载体衬底(5)的热膨胀系数低于所述有用层(1)的热膨胀系数；所述混合结构体(10)包括位于所述有用层(1)和所述载体衬底(5)之间的中间层(4)，所述中间层(4)是在所述中间层(4)的平面内具有多个周期性图案(6,7)的由至少两种不同材料形成的结构化层。
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公开(公告)号：CN108475722B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201680079260.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
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公开(公告)号：CN108271425A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201680065643.1
申请日：2016-10-17
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
CPC classification number: H01L41/312 , H01L41/0805 , H03H9/02102 , H03H9/02574
Abstract: 本发明涉及一种包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。本发明还涉及用于制造复合结构(9)的方法。
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