公开(公告)号：CN119488008A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380052110.X

申请日：2023-07-07

Applicant: 索泰克公司

Inventor： C·查尔斯-艾尔弗雷德 ,  亚历克西斯·德劳因 ,  I·于耶 ,  S·蒂弗里 ,  M·波卡特 ,  T·巴尔格

IPC: H10N30/07 ,  H10N30/072 ,  H10N30/073 ,  H10N30/01 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于制造压电或半导体结构的方法，其包括以下连续步骤：(a)提供供体衬底(11)，其包括压电或半导体层(5)，(b)提供受体衬底(12)，(c)处理该供体衬底(11)的自由表面(7)和/或该受体衬底(12)的自由表面(9)，(d)将该供体衬底(11)结合至该受体衬底(12)，所述至少一个处理后的表面(7,9)在该供体衬底(11)与该受体衬底(12)之间的界面处，及(e)将该压电或半导体层(5)的一部分(3)从该供体衬底(11)转移到该受体衬底(12)，处理该供体衬底(11)的自由表面(7)和/或该受体衬底(12)的自由表面(9)包括以下连续步骤：(c1)化学机械抛光，(c2)从被抛光表面(7,9)的外围区域移除材料。

公开(公告)号：CN115777139A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180048518.0

申请日：2021-06-23

Applicant: 索泰克公司

Inventor： B·克莱门梭 ,  卢多维克·埃卡尔诺 ,  A·戈贝尔 ,  M·波卡特 ,  D·德尔普拉 ,  S·鲁契尔 ,  S·蒂弗里 ,  卡里纳·杜雷特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种将薄层(5)转移到支承衬底(1)上的方法，该方法包括使用制备方法来制备支承衬底(1)，该制备方法包括提供在主面上具有电荷俘获层(2)的基础衬底(3)并且在电荷俘获层(2)上形成厚度大于200nm的介电层(4)。一旦介电层(4)形成，同时执行介电层的沉积和离子溅射。该转移方法还包括通过分子键合将施主衬底接合到载体衬底(1)的介电层(4)，而不通过抛光来准备介电层(4)的自由面，施主衬底具有限定薄层(5)的脆化平面。最后，该方法包括在脆化平面处分离施主衬底，以便释放薄层(5)并将其转移到支承衬底(1)。