公开(公告)号：CN111386600B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201980005951.9

申请日：2019-02-12

Applicant: 索泰克公司

Inventor： D·德尔普拉 ,  D·帕里西 ,  M·波卡特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及通过将层从供体基底转移到接受基底上来制造绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供供体基底和接受基底，b)在供体基底中形成脆化区，该脆化区界定要转移的层，c)在接受基底上接合供体基底，供体基底的关于要转移的层而与脆化区相反的表面处在接合界面处，d)将供体基底沿脆化区分离，使得层的转移能够转移到接受基底上，转移方法的特征在于，在接合步骤之前，转移方法包括以下步骤：受控地改变供体基底和/或接受基底的弯曲，以使基底至少在其外围的一个区域中彼此移开，供体基底和/或接受基底的旨在形成接合界面的一个面或两个面形变以具有大于或等于136μm的弯曲幅度(Bw)。

公开(公告)号：CN115777139A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180048518.0

申请日：2021-06-23

Applicant: 索泰克公司

Inventor： B·克莱门梭 ,  卢多维克·埃卡尔诺 ,  A·戈贝尔 ,  M·波卡特 ,  D·德尔普拉 ,  S·鲁契尔 ,  S·蒂弗里 ,  卡里纳·杜雷特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种将薄层(5)转移到支承衬底(1)上的方法，该方法包括使用制备方法来制备支承衬底(1)，该制备方法包括提供在主面上具有电荷俘获层(2)的基础衬底(3)并且在电荷俘获层(2)上形成厚度大于200nm的介电层(4)。一旦介电层(4)形成，同时执行介电层的沉积和离子溅射。该转移方法还包括通过分子键合将施主衬底接合到载体衬底(1)的介电层(4)，而不通过抛光来准备介电层(4)的自由面，施主衬底具有限定薄层(5)的脆化平面。最后，该方法包括在脆化平面处分离施主衬底，以便释放薄层(5)并将其转移到支承衬底(1)。

公开(公告)号：CN114586172A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080072350.2

申请日：2020-11-25

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 金勇必 ,  D·德尔普拉 ,  L·卡佩罗 ,  I·伯特兰 ,  F·阿利伯特

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于复合结构的处理衬底(100)，所述处理衬底(100)包括：基础衬底(12)，所述基础衬底(12)由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片(1)上的硅外延层(2)构成，所述单晶硅晶片(1)具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层(2)具有高于2000ohm.cm的电阻率以及2到100微米之间的厚度；钝化层(3)，所述钝化层(3)在所述硅外延层(2)上并且与所述硅外延层(2)接触，所述钝化层(3)是非晶的或多晶的；‑电荷俘获层(4)，所述电荷俘获层(4)在所述钝化层(3)上并且与所述钝化层(3)接触。本发明还涉及一种形成这种衬底的方法。

公开(公告)号：CN111386600A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201980005951.9

申请日：2019-02-12

Applicant: 索泰克公司

Inventor： D·德尔普拉 ,  D·帕里西 ,  M·波卡特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及通过将层从供体基底转移到接受基底上来制造绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供供体基底和接受基底，b)在供体基底中形成脆化区，该脆化区界定要转移的层，c)在接受基底上接合供体基底，供体基底的关于要转移的层而与脆化区相反的表面处在接合界面处，d)将供体基底沿脆化区分离，使得层的转移能够转移到接受基底上，转移方法的特征在于，在接合步骤之前，转移方法包括以下步骤：受控地改变供体基底和/或接受基底的弯曲，以使基底至少在其外围的一个区域中彼此移开，供体基底和/或接受基底的旨在形成接合界面的一个面或两个面形变以具有大于或等于136μm的弯曲幅度(Bw)。