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公开(公告)号：CN115777139A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180048518.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种将薄层(5)转移到支承衬底(1)上的方法，该方法包括使用制备方法来制备支承衬底(1)，该制备方法包括提供在主面上具有电荷俘获层(2)的基础衬底(3)并且在电荷俘获层(2)上形成厚度大于200nm的介电层(4)。一旦介电层(4)形成，同时执行介电层的沉积和离子溅射。该转移方法还包括通过分子键合将施主衬底接合到载体衬底(1)的介电层(4)，而不通过抛光来准备介电层(4)的自由面，施主衬底具有限定薄层(5)的脆化平面。最后，该方法包括在脆化平面处分离施主衬底，以便释放薄层(5)并将其转移到支承衬底(1)。
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