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公开(公告)号：CN103988285A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280059753.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02354 , H01L21/2007 , H01L21/324 , H01L21/428
Abstract: 本发明涉及一种位于下述结构体中的键合界面的稳定化方法，所述结构体应用于电子学、光学和/或光电子学领域，并包含在活性层和受体衬底之间的隐埋氧化物层，所述键合界面通过分子粘附获得。根据本发明，所述方法要包括用由激光提供的光能流照射所述结构体，以使导向所述结构体的光能流由能量转化层吸收并在该层中转化为热，并且该热朝向键合界面扩散到所述结构体中，从而使所述键合界面稳定化。
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公开(公告)号：CN119949074A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380069048.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 索泰克公司
IPC: H10N30/07 , H10N30/071 , H10N30/072 , H10N30/073 , H10N30/079
Abstract: 本发明涉及一种用于制造用于将压电膜转移到最终支撑衬底上的供体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供块状处理衬底(102)，特别是基于硅的块状处理衬底；c)在该块状处理衬底(102)上方提供压电材料(114,142)，其特征在于，该方法在提供该压电材料(114,142)的步骤c)之前还包括注入(106)该块状处理衬底(102)以在该块状处理衬底(102)中形成脆化区(104)的步骤b)。本发明还涉及一种供体衬底(100,138,148)，特别是通过根据本发明的制造方法获得的供体衬底，以及一种用于使用根据本发明的供体衬底(100,138,148)转移压电薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN110199375A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007067.4
申请日：2018-01-11
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，所述支撑件(1)包括：基础衬底(3)；第一二氧化硅绝缘层(2a)，所述第一二氧化硅绝缘层(2a)被设置在所述基础衬底(3)上并且厚度大于20nm；以及电荷俘获层(2)，所述电荷俘获层(2)具有高于1000ohm.cm的电阻率以及大于5微米的厚度，并且被设置在所述第一绝缘层(2a)上。
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公开(公告)号：CN118525353A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202380016873.9
申请日：2023-01-11
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特 , C·查尔斯-艾尔弗雷德 , L·卡佩罗 , 莫尔加纳·洛吉奥 , T·巴尔格
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H10N30/073
Abstract: 本发明涉及一种制造用于将压电层转移至支承基板的供体基板的方法，该方法包括以下步骤：提供处理基板，特别是硅基基板；提供压电基板；在处理基板或压电基板上淀积聚合物层；在压电基板的自由表面上形成中间层；按照使得形成在压电基板上的中间层被夹在聚合物层与压电基板之间的方式将压电基板组装在处理基板上，以形成供体基板。本发明还涉及通过这种方法制造的供体基板以及使用这种供体基板转移压电层的方法。
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公开(公告)号：CN114586172A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080072350.2
申请日：2020-11-25
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于复合结构的处理衬底(100)，所述处理衬底(100)包括：基础衬底(12)，所述基础衬底(12)由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片(1)上的硅外延层(2)构成，所述单晶硅晶片(1)具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层(2)具有高于2000ohm.cm的电阻率以及2到100微米之间的厚度；钝化层(3)，所述钝化层(3)在所述硅外延层(2)上并且与所述硅外延层(2)接触，所述钝化层(3)是非晶的或多晶的；‑电荷俘获层(4)，所述电荷俘获层(4)在所述钝化层(3)上并且与所述钝化层(3)接触。本发明还涉及一种形成这种衬底的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107690695A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033209.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2686 , H01L21/3226 , H01L21/67115 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L22/14 , H01L29/1079
Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体元件的工艺，所述工艺包括基板的快速热处理阶段，所述基板包括电荷俘获层，所述快速热处理阶段能够损坏基板的RF特性。根据本发明，快速热处理阶段之后是在700℃至1100℃之间的、达至少15秒的时间段的基板的恢复热处理。
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公开(公告)号：CN119631605A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380057120.2
申请日：2023-06-29
Applicant: 索泰克公司
IPC: H10N30/01 , H10N30/07 , H10N30/072 , H10N30/086 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本发明涉及一种制备由含锂铁电材料制成的单畴薄层(4)的方法。所述方法包括提供由含锂铁电材料制成的第一单畴层(8)，所述层结合到载体(2)，第一层(8)具有富锂表面厚度(11)。制备方法包括对第一层(8)的自由侧(9)进行湿法清洁的第一步骤，清洁步骤能够去除富锂表面层。然后方法包括旨在去除或防止出现富锂且富氢的枝晶(12)的第二制备步骤，当第一层(8)不含富锂表面层时，枝晶易于在第一层(8)的自由侧(9)成核。
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公开(公告)号：CN119452469A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050628.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 索泰克公司 , 法国原子能和替代能源委员会
Inventor： O·莫里 , L·卡佩罗 , I·于耶 , 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 , S·勒弗赖斯特
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H10N30/072
Abstract: 本发明涉及一种结构(1)，该结构包括由布置在基础基板(2a)的表面上的电荷俘获层(2b)制成的支承体(2)，并且包括由锂基材料制成并转移到支承体(2)上的薄膜(4)。结构(1)包括布置在支承体(2)与薄膜(4)之间并与支承体(2)和薄膜(4)接触的层间介电层(3)。层间介电层(3)包括布置在俘获层(2b)上并与俘获层(2b)接触的第一介电层(31)、布置在第一介电层(31)上并与第一介电层(31)接触的氮化硅阻挡层(5)以及布置在阻挡层(5)上并与阻挡层(5)接触的第二介电层(32)。
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公开(公告)号：CN107690695B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201680033209.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，所述制造方法包括基板的快速热处理阶段，所述基板包括电荷俘获层，所述快速热处理阶段能够损坏基板的RF特性。根据本发明，快速热处理阶段之后是在700℃至1100℃之间的、达至少15秒的时间段的基板的恢复热处理。
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公开(公告)号：CN103988285B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280059753.9
申请日：2012-12-13
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02354 , H01L21/2007 , H01L21/324 , H01L21/428
Abstract: 本发明涉及一种位于下述结构体中的键合界面的稳定化方法，所述结构体应用于电子学、光学和/或光电子学领域，并包含在活性层和受体衬底之间的隐埋氧化物层，所述键合界面通过分子粘附获得。根据本发明，所述方法要包括用由激光提供的光能流照射所述结构体，以使导向所述结构体的光能流由能量转化层吸收并在该层中转化为热，并且该热朝向键合界面扩散到所述结构体中，从而使所述键合界面稳定化。
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