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公开(公告)号：CN109716185A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056607.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 索泰克公司
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体结构的方法和光子器件，其中，方法包括以下步骤：在载体衬底(101)上方设置氮化硅构图层(102)；在氮化硅构图层(102)上设置第一保形氧化物层(103)，使得其完全覆盖所述氮化硅构图层；以及将第一保形氧化物层(103)平面化至氮化硅构图层(102)上方的预定厚度，以形成平面化氧化物层(103’)。在将第一保形氧化物层(103)平面化的步骤之后，方法还包括以下步骤：清洁氮化硅构图层(102)以形成具有凹陷高度的凹陷氮化硅构图层(102’)；并且随后，在凹陷氮化硅层(102’)上或上方设置第二保形氧化物层(104)。
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公开(公告)号：CN119949074A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380069048.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 索泰克公司
IPC: H10N30/07 , H10N30/071 , H10N30/072 , H10N30/073 , H10N30/079
Abstract: 本发明涉及一种用于制造用于将压电膜转移到最终支撑衬底上的供体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供块状处理衬底(102)，特别是基于硅的块状处理衬底；c)在该块状处理衬底(102)上方提供压电材料(114,142)，其特征在于，该方法在提供该压电材料(114,142)的步骤c)之前还包括注入(106)该块状处理衬底(102)以在该块状处理衬底(102)中形成脆化区(104)的步骤b)。本发明还涉及一种供体衬底(100,138,148)，特别是通过根据本发明的制造方法获得的供体衬底，以及一种用于使用根据本发明的供体衬底(100,138,148)转移压电薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN114787968A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080082122.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种通过分子粘附来接合两个半导体衬底的方法，所述方法包括：使第一衬底和第二衬底(2)紧密接触以便形成具有结合界面(4)的组合件的步骤a)；以比第一预定温度高的第一温度对结合界面(4)进行反应退火的步骤b)，所述步骤b)在结合界面处产生气泡；在结合界面(4)处至少部分地剥离这两个衬底以便消除所述气泡的步骤c)；以及在结合界面(4)处使第一衬底和第二衬底(2)再次紧密接触以便重新形成该组合件的步骤d)。
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公开(公告)号：CN104412360A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380034211.0
申请日：2013-06-05
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L22/12 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L2224/29124 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29176 , H01L2224/2918 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83895 , H01L2924/01014 , H01L2924/0504 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , Y10T428/12493 , Y10T428/12639 , Y10T428/12646 , Y10T428/12653 , Y10T428/12674
Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：-将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；-向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。
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公开(公告)号：CN118056263A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280067416.8
申请日：2022-09-20
Applicant: 索泰克公司
Inventor： 格维塔兹·戈丹 , 克里斯托夫·马勒维尔 , S·奥杜尔 , R·艾奥努特 , H·比亚尔
Abstract: 本发明涉及一种制造包括置于多晶碳化硅载体衬底上的单晶碳化硅的有用层的复合结构的方法，方法包括：a)提供由多晶碳化硅制成的初始衬底的步骤，初始衬底具有正面并且在所述正面的平面中包括平均尺寸大于0.5μm的晶粒；b)在初始衬底上形成由多晶碳化硅制成的表面层以形成载体衬底的步骤，表面层由平均尺寸小于500nm的晶粒组成并且厚度介于50nm至50μm之间；c)制备载体衬底的表面层的自由表面以获得低于1nm RMS的粗糙度的步骤；d)通过应用分子粘附接合将有用层转移到载体衬底上的步骤，表面层位于有用层与初始衬底之间。本发明还涉及多晶碳化硅载体衬底，并且涉及包括置于载体衬底上的单晶碳化硅有用层的复合结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116583931A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180081095.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 法国原子能和替代能源委员会 , 索泰克公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种供体衬底(100)，用于将第一材料制成的单晶薄层(1)转移到受体衬底(2)上，所述供体衬底(100)具有正面(100a)和背面(100b)，并且包括：‑包埋脆性平面(30)，其限定了供体衬底(100)的上部(101)和下部(102)，‑在所述上部(101)中的所述正面(100a)侧的第一层(10)，与所述包埋脆性平面(30)相邻的第二层(20)，以及插入到所述第一层(10)和第二层(20)之间的停止层(15)，所述第一层(10)由第一材料构成，所述停止层(15)由能够相对于所述第一材料提供选择性蚀刻的第二材料形成，‑非晶化子部(101'、101”、101”')，通过离子植入变为非晶形，其厚度严格小于所述上部(101)的厚度，并且至少包含所述第一层(10)；所述第二层(20)至少包括与所述包埋脆性平面(30)相邻的单晶亚层(22)。本发明还涉及一种转移供体衬底(100)制成的单晶薄层(1)的方法的两种实施例。
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公开(公告)号：CN116868312A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015305.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：a)提供由热膨胀系数接近碳化硅的热膨胀系数的材料制成的临时衬底的步骤；b)在所述临时衬底的正面上形成中间石墨层的步骤；c)将多晶碳化硅支撑层沉积在所述中间层上的步骤，所述支撑层的厚度介于10微米至200微米之间；d)将有用单晶碳化硅层直接或经由附加层转移到所述支撑层上以便形成复合结构的步骤，所述转移使用分子粘附接合；e)在所述有用层上形成有源层的步骤；f)在所述中间层的界面处或者在所述中间层内的分解步骤，以便形成包括所述有源层、所述有用层和所述支撑层的所述半导体结构并且形成临时衬底。本发明还涉及在该方法的中间步骤处获得的复合结构。
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公开(公告)号：CN115529021A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211307637.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 索泰克公司
IPC: H03H9/02 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/313
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构，所述混合结构包括压电材料的有用层，有用层具有自由的第一面和被放置在支撑衬底上的第二面，支撑衬底的热膨胀系数低于有用层的热膨胀系数，其中，混合结构包括：布置在有用层的第二面上的第二中间层；位于支撑衬底上的俘获层；位于有用层与俘获层之间的具有确定的粗糙度的至少一个功能界面，其中，所述至少一个功能界面包括位于所述有用层与所述第二中间层之间的具有峰谷振幅大于0.1微米的确定的粗糙度的第二功能界面，其中，所述第二中间层具有远离所述第二功能界面的平坦表面，其中，所述第二中间层的所述平坦表面的整个表面结合到所述支撑衬底上的所述俘获层。
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公开(公告)号：CN109417124B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201780040275.X
申请日：2017-06-26
Applicant: 索泰克公司
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(100)，所述混合结构(100)包括压电材料的有用层(10)，所述有用层(10)具有自由的第一面(1)和设置在支撑衬底(20)上的第二面(2)，所述支撑衬底(20)具有低于所述有用层(10)的热膨胀系数的热膨胀系数。所述混合结构(100)的特征在于，所述混合结构(100)包括：设置在所述有用层(10)与所述支撑衬底(20)之间的俘获层(30)；以及位于所述有用层(10)与所述俘获层(30)之间的具有预先确定的粗糙度的至少一个功能界面(31)。
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公开(公告)号：CN109417124A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040275.X
申请日：2017-06-26
Applicant: 索泰克公司
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(100)，所述混合结构(100)包括压电材料的有用层(10)，所述有用层(10)具有自由的第一面(1)和设置在支撑衬底(20)上的第二面(2)，所述支撑衬底(20)具有低于所述有用层(10)的热膨胀系数的热膨胀系数。所述混合结构(100)的特征在于，所述混合结构(100)包括：设置在所述有用层(10)与所述支撑衬底(20)之间的俘获层(30)；以及位于所述有用层(10)与所述俘获层(30)之间的具有预先确定的粗糙度的至少一个功能界面(31)。
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