公开(公告)号：CN111630653A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980009405.2

申请日：2019-01-14

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  R·格林 ,  N·克伦贝特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种可分离结构(100)，所述可分离结构(100)包括载体衬底(10)和在第一界面(1)处位于所述衬底(10)上的硅氧化物层(20)。所述可分离结构(100)的特征在于：所述氧化物层(20)的厚度小于200nm；轻氢和/或氦物质(30)根据注入分布曲线(31)深入分布在所述结构(100)的整个区域上，所述注入分布曲线(31)的最大浓度位于所述氧化物层(20)的厚度中；相对于所述氧化物层(20)的厚度，注入的轻物质(30)的总剂量至少超过这些轻物质(30)在所述氧化物层(20)中的溶解度极限的五倍。

公开(公告)号：CN119631605A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057120.2

申请日：2023-06-29

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 亚历克西斯·德劳因 ,  R·格林 ,  M·波卡特 ,  L·卡佩罗 ,  S·拉哈尔

IPC: H10N30/01 ,  H10N30/07 ,  H10N30/072 ,  H10N30/086 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明涉及一种制备由含锂铁电材料制成的单畴薄层(4)的方法。所述方法包括提供由含锂铁电材料制成的第一单畴层(8)，所述层结合到载体(2)，第一层(8)具有富锂表面厚度(11)。制备方法包括对第一层(8)的自由侧(9)进行湿法清洁的第一步骤，清洁步骤能够去除富锂表面层。然后方法包括旨在去除或防止出现富锂且富氢的枝晶(12)的第二制备步骤，当第一层(8)不含富锂表面层时，枝晶易于在第一层(8)的自由侧(9)成核。

公开(公告)号：CN119422225A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380049520.9

申请日：2023-06-20

Applicant: 索泰克公司

Inventor： M·波卡特 ,  R·格林 ,  莫尔加纳·洛吉奥 ,  I·伯特兰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于制造结构(1)的方法，该结构包括借助于介电层(3)接合到支撑体(2)上的薄层(4)，该支撑体包括布置在基础衬底(2a)的表面上的电荷俘获层(2b)。该方法包括对该支撑体的主面的暴露表面和/或对供体衬底的主面的暴露表面施加表面处理，以便在其上形成充当某些原子物质的扩散屏障的层。该表面处理包括将该暴露表面暴露于包含氧的等离子体，然后将该暴露表面暴露于包含氮的等离子体。

公开(公告)号：CN111630653B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201980009405.2

申请日：2019-01-14

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  R·格林 ,  N·克伦贝特

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种可分离结构(100)，所述可分离结构(100)包括载体衬底(10)和在第一界面(1)处位于所述衬底(10)上的硅氧化物层(20)。所述可分离结构(100)的特征在于：所述氧化物层(20)的厚度小于200nm；轻氢和/或氦物质(30)根据注入分布曲线(31)深入分布在所述结构(100)的整个区域上，所述注入分布曲线(31)的最大浓度位于所述氧化物层(20)的厚度中；相对于所述氧化物层(20)的厚度，注入的轻物质(30)的总剂量至少超过这些轻物质(30)在所述氧化物层(20)中的溶解度极限的五倍。