公开(公告)号：CN110622296B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880030548.7

申请日：2018-05-23

Applicant: 索泰克公司

Inventor： M·波卡特 ,  佛雷德里克·阿利伯特 ,  E·德斯博内特 ,  J-P·拉斯金 ,  M·莱克

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于使在涂覆有电绝缘层(2,2b)的半导体衬底(1)上形成的射频电路(L)中传播的射频信号的谐波失真和/或互调失真最小化的方法，其中，表示所述失真随着输入或输出信号的功率而变化的曲线在给定功率(PDip)周围显示出波谷，所述方法的特征在于，其包括在所述射频电路(L)和所述半导体衬底(1)之间施加电势差(VGB)，所述电势差被选择为使所述波谷朝向所述射频电路的给定工作功率移动。

公开(公告)号：CN110622296A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880030548.7

申请日：2018-05-23

Applicant: 索泰克公司

Inventor： M·波卡特 ,  佛雷德里克·阿利伯特 ,  E·德斯博内特 ,  J-P·拉斯金 ,  M·莱克

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种用于使在涂覆有电绝缘层(2,2b)的半导体衬底(1)上形成的射频电路(L)中传播的射频信号的谐波失真和/或互调失真最小化的方法，其中，表示所述失真随着输入或输出信号的功率而变化的曲线在给定功率(PDip)周围显示出波谷，所述方法的特征在于，其包括在所述射频电路(L)和所述半导体衬底(1)之间施加电势差(VGB)，所述电势差被选择为使所述波谷朝向所述射频电路的给定工作功率移动。