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公开(公告)号：CN101139733B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710128605.9
申请日：2007-07-09
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： H01L21/268 , H01L29/32 , Y10T428/24802 , Y10T428/31678
摘要： 本发明涉及具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片，其中所述缺陷减少区域的GOI相关缺陷密度在0/cm2至0.1/cm2的范围内，并且所述缺陷减少区域总共占据所述半导体晶片的平面面积的10至100％的面积比例，所述半导体晶片的剩余区域的缺陷密度明显高于所述缺陷减少区域。本发明还涉及用于退火单晶半导体晶片内的GOI相关缺陷的方法，该方法用激光器照射所述半导体晶片的至少一个面的确定的区域，其特征在于，所述确定的区域内的各个位置均以1GW/m2至10GW/m2的功率密度照射至少25ms，所述激光器发射大于组成所述半导体晶片的半导体材料的吸收边沿的波长的辐射，所述半导体晶片的温度通过用所述激光器进行照射而上升了小于20K。
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公开(公告)号：CN101168270B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710153271.0
申请日：2007-09-29
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B28D5/04
CPC分类号： B28D5/042
摘要： 本发明涉及一种利用线排长度为LG的多线锯同时将至少两个圆柱形工件切分成多个晶片的方法，包括如下步骤：(a)从具有不同长度的工件库存中选择数量为n≥2的工件，使得满足不等式，同时使不等式(1)的右侧尽可能大，其中Li表示所选工件的长度，i＝1...n，Amin表示预定最小间距，(b)将n个工件沿纵向顺次固定在安装板上，同时分别保持工件之间的间距A≥Amin，选择A使得满足不等式，(c)将其上固定有工件的安装板夹紧在多线锯中，以及(d)利用多线锯垂直于工件纵向轴线切分n个工件。发明还涉及这样一种方法，其中，晶片堆在切割之后通过隔片彼此分隔开，同时受到侧向支承。
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公开(公告)号：CN102313697B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110183053.8
申请日：2011-06-27
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： G01N21/9503
摘要： 本发明涉及一种检测半导体晶片的方法，其中用成像法检测半导体晶片的边沿，并以此确定边沿上的缺陷的位置和形式，其中，另外，半导体晶片的平面区域上的环形区域，也就是距离边沿超过10mm的外缘，用光弹性应力测量检测，并以此确定所述环形区域中的受力区域的位置，其中缺陷的位置和受力区域的位置彼此比较，基于缺陷的形式和光弹性应力测量的结果将其分类。本发明还涉及适合实施所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN102313697A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110183053.8
申请日：2011-06-27
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： G01N21/9503
摘要： 本发明涉及一种检测半导体晶片的方法，其中用成像法检测半导体晶片的边沿，并以此确定边沿上的缺陷的位置和形式，其中，另外，半导体晶片的平面区域上的环形区域，也就是距离边沿超过10mm的外缘，用光弹性应力测量检测，并以此确定所述环形区域中的受力区域的位置，其中缺陷的位置和受力区域的位置彼此比较，基于缺陷的形式和光弹性应力测量的结果将其分类。本发明还涉及适合实施所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN100555576C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710136016.5
申请日：2007-07-10
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/302 , C30B29/60 , B28D5/00
CPC分类号： H01L21/02021 , B24B9/065
摘要： 本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上基本上是恒定的。本发明还涉及多个半导体晶片，其中从半导体晶片至半导体晶片的边缘纵剖面基本上是恒定的。此外，本发明还涉及制造此类半导体晶片的方法。
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公开(公告)号：CN101168270A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710153271.0
申请日：2007-09-29
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B28D5/04
CPC分类号： B28D5/042
摘要： 本发明涉及一种利用线排长度为LG的多线锯同时将至少两个圆柱形工件切分成多个晶片的方法，包括如下步骤：(a)从具有不同长度的工件库存中选择数量为n≥2的工件，使得满足不等式，同时使不等式(1)的右侧尽可能大，其中Li表示所选工件的长度，i＝1…n，Amin表示预定最小间距，(b)将n个工件沿纵向顺次固定在安装板上，同时分别保持工件之间的间距A≥Amin，选择A使得满足不等式，(c)将其上固定有工件的安装板夹紧在多线锯中，以及(d)利用多线锯垂直于工件纵向轴线切分n个工件。本发明还涉及这样一种方法，其中，晶片堆在切割之后通过隔片彼此分隔开，同时受到侧向支承。
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公开(公告)号：CN101139733A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710128605.9
申请日：2007-07-09
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： H01L21/268 , H01L29/32 , Y10T428/24802 , Y10T428/31678
摘要： 本发明涉及具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片，其中所述缺陷减少区域的GOI相关缺陷密度在0/cm2至0.1/cm2的范围内，并且所述缺陷减少区域总共占据所述半导体晶片的平面面积的10至100％的面积比例，所述半导体晶片的剩余区域的缺陷密度明显高于所述缺陷减少区域。本发明还涉及用于退火单晶半导体晶片内的GOI相关缺陷的方法，该方法用激光器照射所述半导体晶片的至少一个面的确定的区域，其特征在于，所述确定的区域内的各个位置均以1GW/m2至10GW/m2的功率密度照射至少25ms，所述激光器发射大于组成所述半导体晶片的半导体材料的吸收边沿的波长的辐射，所述半导体晶片的温度通过用所述激光器进行照射而上升了小于20K。
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公开(公告)号：CN101123188A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710136016.5
申请日：2007-07-10
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/302 , C30B29/60 , B28D5/00
CPC分类号： H01L21/02021 , B24B9/065
摘要： 本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上基本上是恒定的。本发明还涉及多个半导体晶片，其中从半导体晶片至半导体晶片的边缘纵剖面基本上是恒定的。此外，本发明还涉及制造此类半导体晶片的方法。
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公开(公告)号：CN108699725A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011747.9
申请日：2017-02-02
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , C30B13/00 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B13/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/324 , H01L29/04 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L31/03682 , H01L31/182 , H01L31/186
摘要： FZ硅，其中所述FZ硅在经过低于900℃的加工温度下的任何加工步骤后都显示出其少数载流子寿命没有降低。制备FZ硅的方法，其包括在大于或等于900℃的退火温度下使FZ硅退火，并在低于900℃的加工温度下加工经退火的FZ硅。
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