公开(公告)号：CN100555576C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710136016.5

申请日：2007-07-10

申请人： 硅电子股份公司

发明人： P·瓦格纳 ,  H·格贝尔 ,  A·胡贝尔 ,  J·莫泽

IPC分类号： H01L21/302 ,  C30B29/60 ,  B28D5/00

CPC分类号： H01L21/02021 ,  B24B9/065

摘要： 本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上基本上是恒定的。本发明还涉及多个半导体晶片，其中从半导体晶片至半导体晶片的边缘纵剖面基本上是恒定的。此外，本发明还涉及制造此类半导体晶片的方法。

公开(公告)号：CN101123188A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710136016.5

申请日：2007-07-10

申请人： 硅电子股份公司

发明人： P·瓦格纳 ,  H·格贝尔 ,  A·胡贝尔 ,  J·莫泽

IPC分类号： H01L21/302 ,  C30B29/60 ,  B28D5/00

CPC分类号： H01L21/02021 ,  B24B9/065

摘要： 本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上基本上是恒定的。本发明还涉及多个半导体晶片，其中从半导体晶片至半导体晶片的边缘纵剖面基本上是恒定的。此外，本发明还涉及制造此类半导体晶片的方法。