发明授权
CN100555576C 具有高度精确的边缘纵剖面的半导体晶片及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有高度精确的边缘纵剖面的半导体晶片及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor wafers with highly precise edge profile and method for producing them
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申请号： CN200710136016.5申请日： 2007-07-10
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公开(公告)号： CN100555576C公开(公告)日： 2009-10-28
- 发明人: P·瓦格纳 , H·格贝尔 , A·胡贝尔 , J·莫泽
- 申请人： 硅电子股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 硅电子股份公司
- 当前专利权人： 硅电子股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 过晓东
- 优先权： 102006037267.0 2006.08.09 DE
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; C30B29/60 ; B28D5/00
摘要：
本发明涉及半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上基本上是恒定的。本发明还涉及多个半导体晶片，其中从半导体晶片至半导体晶片的边缘纵剖面基本上是恒定的。此外，本发明还涉及制造此类半导体晶片的方法。
公开/授权文献
- CN101123188A 具有高度精确的边缘纵剖面的半导体晶片及其制造方法 公开/授权日：2008-02-13
IPC分类:
