公开(公告)号：CN105372260A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510484604.2

申请日：2015-08-07

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·劳贝

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/93 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/8851 ,  G01N21/93 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8854

摘要： 一种监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法，包括：提供在参考半导体晶片的检查表面上具有特定数量和尺寸和密度的缺陷的参考半导体晶片；通过利用所述表面检查系统来实施参考半导体晶片的参考检查和参考半导体晶片的至少一个控制检查，测量所述检查表面上的缺陷的位置和尺寸；识别出因为其位置而被认为是所述参考检查和控制检查的共同缺陷的缺陷；对于每个共同缺陷，确定从基于所述参考检查和控制检查的其尺寸对比所获得的尺寸差值；以及基于所确定的尺寸差值来评估所述表面检查系统的工作状况。

公开(公告)号：CN101838848B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201010116570.9

申请日：2010-02-10

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·帕塞克 ,  F·劳贝 ,  M·皮克尔 ,  R·绍尔

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  C30B29/06 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02021 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67046

摘要： 本发明涉及经外延涂布的硅晶片，所述硅晶片具有前侧，后侧和边缘区域，所述边缘区域含有经圆整和抛光的硅晶片边缘以及接近于边缘且在前侧和后侧的宽度各为3mm的区域，其特征在于，相对于10-80μm的空间波长范围，所述边缘区域中的表面粗糙度为0.1-1.5nm RMS，以及表面粗糙度的变化为1-10％。本发明也涉及经外延涂布的硅晶片的生产方法。

公开(公告)号：CN102313697B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110183053.8

申请日：2011-06-27

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·帕塞克 ,  J·富克斯 ,  A·胡贝尔 ,  F·朗根费尔德 ,  F·劳贝

IPC分类号： G01N21/17 ,  G01N21/95

CPC分类号： G01N21/9503

摘要： 本发明涉及一种检测半导体晶片的方法，其中用成像法检测半导体晶片的边沿，并以此确定边沿上的缺陷的位置和形式，其中，另外，半导体晶片的平面区域上的环形区域，也就是距离边沿超过10mm的外缘，用光弹性应力测量检测，并以此确定所述环形区域中的受力区域的位置，其中缺陷的位置和受力区域的位置彼此比较，基于缺陷的形式和光弹性应力测量的结果将其分类。本发明还涉及适合实施所述方法的设备。

公开(公告)号：CN102313697A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110183053.8

申请日：2011-06-27

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·帕塞克 ,  J·富克斯 ,  A·胡贝尔 ,  F·朗根费尔德 ,  F·劳贝

IPC分类号： G01N21/17 ,  G01N21/95

CPC分类号： G01N21/9503

摘要： 本发明涉及一种检测半导体晶片的方法，其中用成像法检测半导体晶片的边沿，并以此确定边沿上的缺陷的位置和形式，其中，另外，半导体晶片的平面区域上的环形区域，也就是距离边沿超过10mm的外缘，用光弹性应力测量检测，并以此确定所述环形区域中的受力区域的位置，其中缺陷的位置和受力区域的位置彼此比较，基于缺陷的形式和光弹性应力测量的结果将其分类。本发明还涉及适合实施所述方法的设备。

公开(公告)号：CN105372260B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510484604.2

申请日：2015-08-07

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·劳贝

IPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/93 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/8851 ,  G01N21/93 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8854

摘要： 一种监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法，包括：提供在参考半导体晶片的检查表面上具有特定数量和尺寸和密度的缺陷的参考半导体晶片；通过利用所述表面检查系统来实施参考半导体晶片的参考检查和参考半导体晶片的至少一个控制检查，测量所述检查表面上的缺陷的位置和尺寸；识别出因为其位置而被认为是所述参考检查和控制检查的共同缺陷的缺陷；对于每个共同缺陷，确定从基于所述参考检查和控制检查的其尺寸对比所获得的尺寸差值；以及基于所确定的尺寸差值来评估所述表面检查系统的工作状况。

公开(公告)号：CN101838848A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010116570.9

申请日：2010-02-10

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·帕塞克 ,  F·劳贝 ,  M·皮克尔 ,  R·绍尔

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02021 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67046

摘要： 本发明涉及经外延涂布的硅晶片，所述硅晶片具有前侧，后侧和边缘区域，所述边缘区域含有经圆整和抛光的硅晶片边缘以及接近于边缘且在前侧和后侧的宽度各为3mm的区域，其特征在于，相对于10-80μm的空间波长范围，所述边缘区域中的表面粗糙度为0.1-1.5nm RMS，以及表面粗糙度的变化为1-10％。本发明也涉及经外延涂布的硅晶片的生产方法。