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公开(公告)号：CN101168270B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710153271.0
申请日：2007-09-29
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B28D5/04
CPC分类号： B28D5/042
摘要： 本发明涉及一种利用线排长度为LG的多线锯同时将至少两个圆柱形工件切分成多个晶片的方法，包括如下步骤：(a)从具有不同长度的工件库存中选择数量为n≥2的工件，使得满足不等式，同时使不等式(1)的右侧尽可能大，其中Li表示所选工件的长度，i＝1...n，Amin表示预定最小间距，(b)将n个工件沿纵向顺次固定在安装板上，同时分别保持工件之间的间距A≥Amin，选择A使得满足不等式，(c)将其上固定有工件的安装板夹紧在多线锯中，以及(d)利用多线锯垂直于工件纵向轴线切分n个工件。发明还涉及这样一种方法，其中，晶片堆在切割之后通过隔片彼此分隔开，同时受到侧向支承。
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公开(公告)号：CN103846780A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310632384.4
申请日：2013-12-02
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B24B37/08
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/24 , H01L21/02024 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种抛光由半导体材料构成的晶片的方法，其包含使用具有低压缩率的硬抛光垫进行至少一个第一同时双面切削抛光。所述方法适合于所有由半导体材料构成的晶片，而与各个直径无关。
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公开(公告)号：CN101659027A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910168313.7
申请日：2009-08-27
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： B24B37/042 , H01L21/02024
摘要： 本发明涉及用于制造半导体晶片的方法，其包括在上下抛光圆盘之间抛光该半导体晶片，其中位于载体圆盘的留空中的半导体晶片在加入抛光剂的情况下双面抛光，直至该半导体晶片在半导体晶片中心的厚度与载体圆盘厚度之差为负数，去除材料的总量达到10μm至30μm，所述抛光剂包含0.1至0.4重量％的SiO 2 及0.1至0.9重量％的碱性组份。
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公开(公告)号：CN103839798A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585234.2
申请日：2013-11-19
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024
摘要： 用于抛光半导体晶片的方法，其包括在抛光介质的存在下同时抛光衬底晶片的正面和反面，并实现从衬底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分为第一和第二步骤，第一步骤中的材料去除速度高于第二步骤，其中将第一抛光浆液用作第一步骤中的抛光介质，并将第二抛光浆液用作第二步骤中的抛光介质，并且第二抛光浆液与第一抛光浆液的区别至少在于第二抛光浆液包含聚合物添加剂。
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公开(公告)号：CN101168270A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710153271.0
申请日：2007-09-29
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B28D5/04
CPC分类号： B28D5/042
摘要： 本发明涉及一种利用线排长度为LG的多线锯同时将至少两个圆柱形工件切分成多个晶片的方法，包括如下步骤：(a)从具有不同长度的工件库存中选择数量为n≥2的工件，使得满足不等式，同时使不等式(1)的右侧尽可能大，其中Li表示所选工件的长度，i＝1…n，Amin表示预定最小间距，(b)将n个工件沿纵向顺次固定在安装板上，同时分别保持工件之间的间距A≥Amin，选择A使得满足不等式，(c)将其上固定有工件的安装板夹紧在多线锯中，以及(d)利用多线锯垂直于工件纵向轴线切分n个工件。本发明还涉及这样一种方法，其中，晶片堆在切割之后通过隔片彼此分隔开，同时受到侧向支承。
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公开(公告)号：CN103846780B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310632384.4
申请日：2013-12-02
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B24B37/08
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/24 , H01L21/02024 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种抛光由半导体材料构成的晶片的方法，其包含使用具有低压缩率的硬抛光垫进行至少一个第一同时双面切削抛光。所述方法适合于所有由半导体材料构成的晶片，而与各个直径无关。
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公开(公告)号：CN104097134B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410144265.9
申请日：2014-04-11
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B24B29/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种用于在抛光装置的下和上抛光垫之间的间隙中借助于同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法。该方法包括用修整工具对一个或全部两个抛光垫进行修整和在修整后在间隙中抛光半导体晶片；在修整过程中，修整工具和与待修整的抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离与在该抛光垫的外边缘处的相应的距离不同。
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公开(公告)号：CN104097134A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410144265.9
申请日：2014-04-11
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： B24B29/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种用于在抛光装置的下和上抛光垫之间的间隙中借助于同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法。该方法包括用修整工具对一个或全部两个抛光垫进行修整和在修整后在间隙中抛光半导体晶片；在修整过程中，修整工具和与待修整的抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离与在该抛光垫的外边缘处的相应的距离不同。
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